[发明专利]一种介质-金属太赫兹慢波结构有效
申请号: | 202111320641.1 | 申请日: | 2021-11-09 |
公开(公告)号: | CN114038729B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 刘子璇;路志刚;钟宝辉;段景瑞;朱俊宛;王泽川;陈海峰 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学长三角研究院(湖州) |
主分类号: | H01J23/24 | 分类号: | H01J23/24;H01J23/28 |
代理公司: | 成都行之智信知识产权代理有限公司 51256 | 代理人: | 李林 |
地址: | 313000 浙江省湖州市西塞*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 介质 金属 赫兹 结构 | ||
1.一种介质-金属太赫兹慢波结构,其特征在于,包括至少一个用于定向引导电磁波的波导,所述电磁波在所述波导上的电子注通道定向流动,所述电子注通道的两侧外壁覆盖有绝缘介质层,通过所述绝缘介质层降低所述电磁波的相速度;
所述波导为矩形波导,所述矩形波导包括依次交错设置的若干上矩形栅和若干下矩形栅,所述上矩形栅和下矩形栅均为金属栅,所述上矩形栅和下矩形栅之间设有间隙,所述间隙为所述电磁波定向流动的电子注通道,所述绝缘介质层设置在所述上矩形栅和下矩形栅的侧壁、上矩形栅的底壁以及下矩形栅的顶壁上,设置在所述上矩形栅的底壁以及下矩形栅的顶壁的绝缘介质层和所述电子注通道之间设有易导电材质,通过设置所述易导电材质防止电子在所述绝缘介质层中聚集,避免所述绝缘介质层被击穿。
2.根据权利要求1所述的一种介质-金属太赫兹慢波结构,其特征在于,所述电磁波为太赫兹波。
3.根据权利要求1所述的一种介质-金属太赫兹慢波结构,其特征在于,所述绝缘介质层的材料包括聚乙烯。
4.根据权利要求1-3任一所述的一种介质-金属太赫兹慢波结构,其特征在于,所述电子注通道为真空通道。
5.根据权利要求1所述的一种介质-金属太赫兹慢波结构,其特征在于,所述易导电材质包括石墨烯。
6.根据权利要求1-5任一所述的一种介质-金属太赫兹慢波结构,其特征在于,设置在所述上矩形栅和下矩形栅的侧壁、上矩形栅的底壁以及下矩形栅的顶壁上的所述绝缘介质层的厚度相同。
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