[发明专利]发光显示装置在审
申请号: | 202111320831.3 | 申请日: | 2021-11-09 |
公开(公告)号: | CN114520255A | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 沈成斌;成美璘;H·崔 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 王伟;李琳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示装置 | ||
1.一种发光显示装置,包括:
基板;
电路层,所述电路层具有设置在所述基板上的薄膜晶体管和辅助电源电极;
绝缘层,所述绝缘层设置在所述电路层上并且包括暴露所述辅助电源电极的一部分的第一开口;
像素电极,所述像素电极设置在所述绝缘层上并连接到所述薄膜晶体管;
辅助电极接触区域,所述辅助电极接触区域形成在所述绝缘层中;;
辅助电极,所述辅助电极形成在所述绝缘层上;
发光层,所述发光层设置在所述像素电极和所述辅助电极上;
公共电极,所述公共电极设置在所述发光层上并通过所述辅助电极接触区域与所述辅助电源电极电连接;
填充物,所述填充物设置在所述辅助电极接触区域中;以及
封装层,所述封装层设置在所述公共电极和所述填充物上,
其中,所述绝缘层的所述第一开口包括在辅助电源电极与所述辅助电极之间的底切区域,
其中,所述底切区域填充有所述填充物。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述填充物包括有机材料。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述封装层包括:
设置在所述公共电极和所述填充物上的第一无机膜;
设置在所述第一无机膜上的有机膜;以及
设置在所述有机膜上的第二无机膜。
4.根据权利要求3所述的发光显示装置,还包括滤色器,所述滤色器设置在所述封装层上并且与所述像素电极重叠。
5.根据权利要求4所述的发光显示装置,还包括堤层,所述堤层设置在所述绝缘层上,在所述像素电极上限定第二开口,
其中,所述发光层设置在所述像素电极和所述堤层上。
6.根据权利要求5所述的发光显示装置,其中,所述填充物的上表面设置在所述堤层上的所述公共电极的上表面与所述绝缘层的上表面之间。
7.根据权利要求6所述的发光显示装置,其中,所述填充物的所述上表面与所述堤层的一部分重叠。
8.根据权利要求7所述的发光显示装置,其中,所述填充物的所述上表面覆盖所述堤层上的所述公共电极的一部分。
9.根据权利要求7所述的发光显示装置,其中,所述填充物的所述上表面与所述堤层上的所述公共电极的所述上表面齐平。
10.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述填充物形成为与所述辅助电极接触区域对应的岛状图案。
11.根据权利要求1所述的发光显示装置,还包括电连接到所述辅助电源电极的辅助电源线,
其中,所述填充物形成为与所述辅助电源线重叠的线图案。
12.一种发光显示装置,包括:
基板;
电路层,所述电路层具有设置在所述基板上的薄膜晶体管和辅助电源电极;
绝缘层,所述绝缘层设置在所述电路层上;
像素电极,所述像素电极设置在所述绝缘层上并连接到所述薄膜晶体管;
辅助电极,所述辅助电极形成在所述绝缘层上;
凹槽,所述凹槽形成在所述绝缘层中并且暴露所述辅助电源电极的一部分;
发光层,所述发光层设置在所述像素电极和所述辅助电极上;
公共电极,所述公共电极设置在所述发光层和所述辅助电极上并通过所述凹槽与所述辅助电源电极电连接;
填充物,所述填充物设置在所述凹槽中,使得所述填充物的上表面与所述凹槽的上表面平齐或者高于所述凹槽的上表面;以及
封装层,所述封装层设置在所述公共电极和所述填充物上。
13.根据权利要求12所述的发光显示装置,其中,所述像素电极和所述辅助电极由相同的材料制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的