[发明专利]一种PCB大孔盖孔蚀刻的湿膜工艺及PCB加工方法

权利要求书

1.一种PCB大孔盖孔蚀刻的湿膜工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S01塞孔：采用感光油墨进行丝印塞孔，将PCB上目标大孔塞满；

S02丝印湿膜油墨：采用感光油墨进行丝印湿膜油墨，涂覆整个PCB产品的表面；

S03曝光：按PCB设计的目标线路图形进行曝光处理；

S04显影：使用弱碱性溶液使未产生光聚合交联反应的湿膜反应溶解掉，露出铜箔层；

S05酸性蚀刻：将产品进行酸性蚀刻，将显影后露出的铜箔层溶解，露出介质层表面；

S06褪膜：将孔内以及产品表面的湿膜油墨进行化学去除，从而形成PCB所需要的线路图形。

2.根据权利要求1所述的PCB大孔盖孔蚀刻的湿膜工艺，其特征在于，所述大孔的通孔孔径≥4.0mm。

3.根据权利要求1或2所述的PCB大孔盖孔蚀刻的湿膜工艺，其特征在于，所述S01塞孔中塞孔后静置5-10min，在60℃-90℃温度下预烤10-20min。

4.根据权利要求1或2所述的PCB大孔盖孔蚀刻的湿膜工艺，其特征在于，所述S02丝印湿膜油墨中湿膜油墨的厚度为7-12μm。

5.根据权利要求4所述的PCB大孔盖孔蚀刻的湿膜工艺，其特征在于，所述S02丝印湿膜油墨后静置5-10min，在60℃-90℃温度下预烤10-20min。

6.根据权利要求1或2所述的PCB大孔盖孔蚀刻的湿膜工艺，其特征在于，所述S03曝光中采用LDI曝光机或UV平行光曝光机进行曝光，曝光后静置10-30min。

7.根据权利要求1或2所述的PCB大孔盖孔蚀刻的湿膜工艺，其特征在于，所述S04显影中采用质量浓度为1-2％的Na₂CO₃溶液进行显影，显影压力为1-3kg/cm²，显影速度1-3m/min。

8.根据权利要求1或2所述的PCB大孔盖孔蚀刻的湿膜工艺，其特征在于，所述S05酸性蚀刻中的蚀刻药水为HCl+CuCl₂，蚀刻压力2-5kg/cm²，蚀刻温度30-40℃。

9.根据权利要求1或2所述的PCB大孔盖孔蚀刻的湿膜工艺，其特征在于，所述S06褪膜中采用质量浓度为3-5％的NaOH溶液进行腿膜，腿膜压力1-3kg/cm²。

10.一种PCB加工方法，其特征在于，包括权利要求1～9任一项所述的PCB大孔盖孔蚀刻的湿膜工艺。