[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.三维存储器，包括：

堆叠层，位于衬底上；

栅极狭缝结构，穿过所述堆叠层，所述栅极狭缝结构在与所述衬底平行的第一方向延伸，以将所述堆叠层划分为多个指状区域；其中，所述栅极狭缝结构包括第一栅极狭缝结构和第二栅极狭缝结构，所述第一栅极狭缝结构在所述第一方向连续延伸，所述第二栅极狭缝结构分段设置在相邻的所述第一栅极狭缝结构之间；以及

存储沟道结构，穿过所述堆叠层，所述指状区域包括沿所述第一方向排列的多排所述存储沟道结构，所述第二栅极狭缝结构与其相邻的一排所述存储沟道结构具有第一预设间距，所述第一栅极狭缝结构与其相邻的一排所述存储沟道结构具有第二预设间距，其中，所述第一预设间距大于所述第二预设间距。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，每段所述第二栅极狭缝结构包括端部和延伸部，所述延伸部沿所述第一方向延伸，其中，所述端部与其相邻的一排所述存储沟道结构具有第一预设最短间距，其中，所述第一预设最短间距大于或等于所述第二预设间距。

3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述第一预设最短间距的范围为100nm-200nm。

4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，在与所述衬底平行的并与所述第一方向交叉的第二方向上，相邻的两个所述第二栅极狭缝结构之间具有第三预设间距，所述第一栅极狭缝结构与其相邻的所述第二栅极狭缝结构之间具有第四预设间距，其中，所述第三预设间距大于所述第四预设间距。

5.根据权利要求2所述的三维存储器，还包括：

虚设沟道结构，穿过所述堆叠层，所述指状区域包括沿所述第一方向排列的多排所述虚设沟道结构，所述第二栅极狭缝结构与其相邻的一排所述虚设沟道结构具有第五预设间距，所述第一栅极狭缝结构与其相邻的一排所述虚设沟道结构具有第六预设间距，其中，所述第五预设间距大于所述第六预设间距。

6.根据权利要求5所述的三维存储器，其特征在于，所述端部与其相邻的一排所述虚设沟道结构具有第二预设最短间距，其中，所述第二预设最短间距大于或等于所述第六预设间距。

7.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述栅极狭缝结构包括隔离层以及位于所述隔离层上的导电通道。

8.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠层包括栅极导体层，多个所述指状区域的所述栅极导体层通过分段的所述第二栅极狭缝结构之间的部分电连接。

9.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述端部的轮廓形状为圆形的一部分或椭圆形的一部分。

10.三维存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上形成堆叠结构；

穿过所述堆叠结构形成多个存储沟道结构；以及

穿过所述堆叠结构形成多个在与所述衬底平行的第一方向延伸的栅极狭缝结构，其将所述堆叠结构划分为多个指状区域，每个所述指状区域包括沿所述第一方向排列的多排所述存储沟道结构；所述栅极狭缝结构包括第一栅极狭缝结构和第二栅极狭缝结构，所述第一栅极狭缝结构在所述第一方向连续延伸，所述第二栅极狭缝结构分段设置在相邻的所述第一栅极狭缝结构之间；

其中，任一所述第二栅极狭缝结构与其相邻的一排所述存储沟道结构具有第一预设间距，任一所述第一栅极狭缝结构与其相邻的一排所述存储沟道结构具有第二预设间距，所述第一预设间距大于所述第二预设间距。

11.根据权利要求10所述的制造方法，每段所述第二栅极狭缝结构包括端部和延伸部，所述延伸部沿所述第一方向延伸，其中，所述端部与其相邻的一排所述存储沟道结构具有第一预设最短间距，其中，所述第一预设最短间距大于或等于所述第二预设间距。