[发明专利]一种自隔离非对称垂直型瞬态电压抑制保护器件

权利要求书

1.一种自隔离非对称垂直型瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，包括：

P型衬底；

N型基区，所述N型基区设置在P型衬底上端，所述N型基区外侧被P型衬底包裹，且所述N型基区的上端露出P型衬底，且与P型衬底齐平，所述N型基区的下端沉入P型衬底中；

P型基区，所述P型基区设置在P型衬底上端，所述P型基区外侧被P型衬底包裹，且所述P型基区的上端露出P型衬底，且与P型衬底齐平，所述P型基区的下端沉入P型衬底中，所述P型基区和N型基区并列设置，且与N型基区之间存在间隙；

第一N+注入区，所述第一N+注入区设置在P型基区上，所述第一N+注入区外侧被P型基区包裹，所述第一N+注入区的上端露出P型基区，且与P型基区上表面齐平；

第二N+注入区，所述第二N+注入区设置在P型衬底底端，所述第二N+注入区外侧被P型衬底包裹，所述第二N+注入区的下端露出P型衬底，且与P型衬底齐平，所述第二N+注入区的上端沉入P型衬底，所述第一N+注入区和第二N+注入区上下对应；

第一P+注入区，所述第一P+注入区设置在N型基区上，所述第一P+注入区外侧被N型基区包裹，所述第一P+注入区的上端露出N型基区，且与N型基区上表面齐平；

第二P+注入区，所述第二P+注入区设置在P型衬底底端，所述第二P+注入区外侧被P型衬底包裹，所述第二P+注入区的下端露出P型衬底，且与P型衬底齐平，所述第二P+注入区的上端沉入P型衬底，所述第一P+注入区和第二P+注入区上下对应，所述第二P+注入区与第二N+注入区并列设置，且与第二N+注入区之间存在间隙；

第一表面结构，所述第一表面结构设置在所述P型衬底的上表面，用于芯片封装焊接，所述第一表面结构包括第一场氧化层和第一电极金属层，所述第一场氧化层设置在P型衬底的上表面，且覆盖P型基区和N型基区与P型衬底在端面的接触处，所述第一电极金属层覆盖在第一场氧化层、第一N+注入区、第一P+注入区、P型基区和N型基区的上表面；

第二表面结构，所述第二表面结构设置在所述P型衬底的下表面，用于芯片封装焊接，所述第二表面结构包括第二场氧化层和第二电极金属层，所述第二场氧化层，所述第二场氧化层设置在P型衬底的下表面，且覆盖第二N+注入区和第二P+注入区与P型衬底在端面的接触处；所述第二电极金属层， 所述第二电极金属层覆盖在第二场氧化层、第二N+注入区和第二P+注入区的表面。

2.根据权利要求1所述的自隔离非对称垂直型瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述第一电极金属层将第一N+注入区和第一P+注入区相连接作为第一电极。

3.根据权利要求1所述的自隔离非对称垂直型瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述第二电极金属层将第二N+注入区和第二P+注入区相连接作为第二电极。

4.根据权利要求1所述的自隔离非对称垂直型瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述N型基区为可调浓度PNP基区。

5.根据权利要求1所述的自隔离非对称垂直型瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，所述P型基区为可调浓度NPN基区。