[发明专利]一种基于GaAs衬底制备InP薄膜的方法有效
| 申请号： | 202111325697.6 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN114134565B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 徐鹏飞;王岩;罗帅;季海铭 | 申请（专利权）人： | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 武汉江楚智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 42228 | 代理人： | 邓寅杰 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州市邳*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gaas 衬底 制备 inp 薄膜 方法 | ||
1.一种基于GaAs衬底制备InP薄膜的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
（1）选择一GaAs衬底（10）；
（2）在所述GaAs衬底（10）上生长GaAs缓冲层（20）；
（3）在所述GaAs缓冲层（20）上制备复合缓冲层（30），所述复合缓冲层（30）由石墨烯层（31）和GaxIn1-xP材料层（32）交替生长形成，最下层为所述石墨烯层（31），最上层为所述GaxIn1-xP材料层（32）；
（4）在所述复合缓冲层（30）上生长InP薄膜（40）；
在步骤（3）中，所述石墨烯层（31）中石墨烯原子层数为2-5层，所述GaxIn1-xP材料层（32）中每层的Ga组分x由下至上逐步减小，0＜x＜0.5，x减小步长为0.05-0.1；每层所述GaxIn1-xP材料层（32）上表面设有纳米柱。
2.根据权利要求1所述方法，其特征在于：在步骤（3）中，每层所述GaxIn1-xP材料层（32）为不同组分材料形成。
3.根据权利要求1所述方法，其特征在于：在步骤（3）中，交替生长对数为5-10对。
4.根据权利要求1所述方法，其特征在于：所述纳米柱的台面呈正方形，边长为10-50nm，所述纳米柱的高度为20-100nm，相邻所述纳米柱之间的间距为100-1000nm。
5.根据权利要求1所述方法，其特征在于：在步骤（1）中，所述GaAs衬底（10）为单晶GaAs衬底。
6.根据权利要求1所述方法，其特征在于：在步骤（2）中，所述GaAs缓冲层（20）的厚度为300-1000nm。
7.根据权利要求1所述方法，其特征在于：在步骤（4）中，所述InP薄膜（40）的生长厚度大于100nm。
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