[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括第一外延层；

掺杂柱，分立的位于所述第一外延层中，且与所述第一外延层的表面共面，其中所述掺杂柱的厚度小于或等于所述第一外延层的厚度，且厚度差为0μm～11μm；第一JFET区，位于部分所述掺杂柱上；

第二JFET区，位于相邻所述掺杂柱之间的部分所述第一外延层上；

阱区，位于所述第一JFET区和所述第二JFET区上；

源区，自所述阱区表面延伸至所述阱区中；

掺杂区，位于相邻所述源区之间且延伸至所述掺杂柱的表面；

栅极结构，位于所述源区和所述阱区中并延伸至所述第一JFET区和所述第二JFET区之间，且所述栅极结构的整个或部分底部与所述掺杂柱邻接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂柱沿所述栅极结构的延伸方向及垂直于所述栅极结构的延伸方向分布，所述第一JFET区在所述栅极结构的延伸方向横跨或者不横跨所述掺杂柱，所述第二JFET区与所述栅极结构的延伸方向相同。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一JFET区和所述第二JFET区的表面共面。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源区的深度为0.2μm-0.4μm；所述掺杂区的深度为1.2μm-1.5μm；所述阱区的深度为0.8μm-1.0μm；所述第一JFET区和所述第二JFET区的厚度为0.3μm-0.4μm。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅氧化层和位于所述栅氧化层表面的栅极层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极层的深度为1.1μm-1.5μm。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一外延层、所述第一JFET区、所述第二JFET区及所述源区的掺杂类型相同；所述掺杂柱、所述掺杂区及所述阱区的掺杂类型相同；其中所述第一JFET区的掺杂浓度大于或等于所述第二JFET区的掺杂浓度。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一外延层和所述掺杂柱的掺杂浓度为5×10¹⁵/cm³至2.5×10¹⁶/cm³，所述第一JFET区和所述第二JFET区的掺杂浓度为3×10¹⁶/cm³至2×10¹⁷/cm³。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

层间介电层，位于所述栅极结构和部分所述源区表面；

源接触层，位于所述层间介电层之间，且所述源接触层和所述层间介电层的表面共面；

源金属，位于所述层间介电层和所述源接触层的表面。