[发明专利]一种FeCoCr磁码盘薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种FeCoCr磁码盘薄膜材料，其特征在于，包括基底，在所述基底上采用磁控溅射法交替沉积的FeCoCr/Si周期性多层膜，以及采用磁控溅射法沉积于所述周期性多层膜上的顶层保护层，用于防止所述周期性多层膜被氧化。

2.根据权利要求1所述的FeCoCr磁码盘薄膜材料，其特征在于，所述周期性多层膜中的单元FeCoCr层中，Fe、Co、Cr的质量比均为45：30：25。

3.根据权利要求2所述的FeCoCr磁码盘薄膜材料，其特征在于，所述周期性多层膜中，单元FeCoCr层的厚度为5-20nm，单元Si层的厚度为1-2nm，周期数n为10～30。

4.根据权利要求3所述的FeCoCr磁码盘薄膜材料，其特征在于，所述周期性多层膜中，单元FeCoCr层的厚度为10nm，单元Si层的厚度为1nm，周期数n为10。

5.根据权利要求1所述的FeCoCr磁码盘薄膜材料，其特征在于，所述基底的材质为Si或不锈钢；

所述顶层保护层的材质为Ti，或Ta。

6.一种如权利要求1-5中任意一项所述的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、清洗并干燥FeCoCr靶材；

S2、采用磁控溅射法在所述基底上先后沉积所述周期性多层膜和顶层保护层；

S3、进行真空退火热处理。

7.根据权利要求6所述的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤S1清洗并干燥FeCoCr靶材，具体为：先用化学试剂清洗，再用去离子水超声清洗，最后通过氮气吹干或者烘箱烘干。

8.根据权利要求7所述的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤S1中，先用化学试剂清洗，化学试剂为丙酮或酒精。

9.根据权利要求6所述的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中控制溅射室的真空度为1×10^-5～3×10^-5Pa，溅射时腔室内充入氩气，气压为0.3～0.8Pa；单元FeCoCr层的沉积时间控制为50-200s，单元Si层的沉积时间控制为60-120s。

10.根据权利要求6所述的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤S3中真空退火热处理中，真空环境的真空度为1×10^-5～5×10^-5Pa，热处理的温度为650～700℃，保温时间为30-60min。