[发明专利]一种降低硅片表面金属的清洗工艺

说明书

本发明一种降低硅片表面金属的清洗工艺，S1、将抛光硅片运载至最终清洗剂上载处待料；S2、设定最终清洗机的药液浓度比；温度设定分别为HF槽温度设定为常温，SC‑1槽温度设定为60℃，SC‑2槽温度设定为55℃；S3、开启最终清洗机的臭氧发生装置；S4、将最终清洗机的超声调节为:900±6W；S5、将最终清洗机慢提拉槽的温度设定为常温；S6、保证最终清洗的FFU设置和排风设置的协调性，将风压方向调整为由机体向外排除的状态，保证清洗机的内部环境；S7、工艺调节完毕，再次对设备进行点检，保证无异常后开始加工；S8、清洗完毕后，出厂片盒装载，用干车拉载产品至ICP‑MS金属测试仪范围内，等待金属检验。本发明具备降低硅片表面金属离子和便于清洗的优点。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及降低硅片表面金属的清洗工艺。

背景技术

随着中国半导体产业的快速发展，中国单晶硅片产能的扩张迅速。为保证国内市场供应硅片安全性及集成电路产业链的完整和稳定；同时降低我国对高品质半导体硅片的进口依赖，满足我国集成电路产业对硅衬底基础材料的迫切要求，生产高规格高要求的200mm半导体硅片单晶硅衬底成为必要的发展趋势。晶圆中出现的具有电性的可移动离子污染物会改变器件的特征，改变它的工作表现和可靠性参数，金属离子在器件中移动可造成器件失效。所以想在半导体市场中掌握主动权，就一定要做到满足客户提出的要求。

发明内容

本发明的目的是提供一种降低硅片表面金属的清洗工艺，其产品满足重金属(Cu、Zn、PB、Ni、Co、Cr等)小于5E+09atom/cm²；轻金属(Al、Mg、Ca、K、Na、Fe等)小于1E+9atom/cm²加工水平的一种清洗工艺，可有效提高200mm硅片的市场竞争力。

本发明通过如下技术方案实现上述目的：一种降低硅片表面金属的清洗工艺，包括以下步骤：

S1、将抛光硅片运载至最终清洗剂上载处待料；

S2、设定最终清洗机的药液浓度比；温度设定分别为HF槽温度设定为常温，SC-1槽温度设定为60℃，SC-2槽温度设定为55℃；

S3、开启最终清洗机的臭氧发生装置；

S4、将最终清洗机的超声调节为:900±6W；

S5、将最终清洗机慢提拉槽的温度设定为常温；

S6、保证最终清洗的FFU设置和排风设置的协调性，将风压方向调整为由机体向外排除的状态，保证清洗机的内部环境；

S7、工艺调节完毕，再次对设备进行点检，保证无异常后开始加工；

S8、清洗完毕后，出厂片盒装载，用干车拉载产品至ICP-MS金属测试仪范围内，等待金属检验。

进一步的，所述抛光硅片的直径为200mm，加工厚度为650um-850um。

进一步的，HF槽的药液浓度比为HF：H₂O＝1:200。

进一步的，SC-1槽的药液浓度比为NH₄OH：H₂O₂：H₂O＝1：2：30。

进一步的，SC-2槽的药液浓度比为HCL：H₂O₂：H₂O＝3：4:300。

进一步的，所述药液均使用UPSS级别药液。

进一步的，设定臭氧浓度为30ppm。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：具备降低硅片表面金属离子和便于清洗的优点，可有效提高200mm硅片的市场竞争力。

附图说明