[发明专利]可调控电磁阵元及智能表面有效
申请号: | 202111331397.9 | 申请日: | 2021-11-11 |
公开(公告)号: | CN113782980B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 傅随道;沈楠;吴建军;毛胤电;李名定 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | H01Q19/02 | 分类号: | H01Q19/02;H01Q19/10;H01Q15/24;H01Q21/00;H01Q1/36 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 洪铭福 |
地址: | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调控 电磁 智能 表面 | ||
1.一种可调控电磁阵元,包括反射单元和寄生单元,
所述反射单元包括:
至少一个反射金属片;
至少一个可调控元件,所述可调控元件与所述反射金属片电性连接,所述可调控元件用于根据调控信号调控所述电磁阵元的电磁参数;
所述寄生单元设置在所述反射金属片的周边,所述寄生单元与所述反射金属片耦合连接。
2.根据权利要求1所述的电磁阵元,其特征在于,
所述寄生单元与反射单元设置在同一层,以与所述反射单元耦合连接;
或者,所述寄生单元设置在所述反射单元的上层,以与所述反射单元耦合连接;
或者,所述寄生单元设置在所述反射单元的下层,以与所述反射单元耦合连接。
3.根据权利要求1所述的电磁阵元,其特征在于,所述寄生单元与所述反射单元之间形成耦合缝隙,以使所述寄生单元与所述反射单元通过电场耦合连接;或者,所述寄生单元与所述反射单元通过元件耦合连接。
4.根据权利要求1所述的电磁阵元,其特征在于,所述反射单元设置在所述可调控电磁阵元的中部位置,所述寄生单元设置在所述可调控电磁阵元的外周,并沿所述反射单元的极化方向放置,以与所述反射单元耦合连接。
5.根据权利要求1至4任一项所述的电磁阵元,其特征在于,所述反射金属片包括:
第一金属片,所述第一金属片用于与地电性连接;
偏置电压片,所述偏置电压片通过所述可调控元件与所述第一金属片电性连接,所述偏置电压片用于接收调控信号并把调控信号传输到所述可调控元件。
6.根据权利要求5所述的电磁阵元,其特征在于,所述第一金属片为多边形金属片,所述寄生单元沿所述多边形金属片的边对应设置,以使寄生单元的至少一边与所述多边形金属片的至少一边形成条形耦合缝隙;
或者,
所述第一金属片为圆形金属片,所述寄生单元沿所述圆形金属片的圆周对应设置,以使所述寄生单元的边缘与所述多边形金属片的边缘形成环形耦合缝隙。
7.根据权利要求5所述的电磁阵元,其特征在于,所述第一金属片和所述偏置电压片之间还设置有第二金属片,所述偏置电压片与所述第二金属片电性连接,所述第二金属片通过所述可调控元件与所述第一金属片电性连接;
所述寄生单元沿所述第二金属片的边对应设置,以使寄生单元的至少一边与所述第二金属片的至少一边形成耦合缝隙。
8.根据权利要求7所述的电磁阵元,其特征在于,所述反射单元还包括电感元件,所述偏置电压片通过所述电感元件与所述第二金属片电性连接。
9.根据权利要求5所述的电磁阵元,其特征在于,在所述寄生单元与所述反射单元设置在同一层的情况下,所述寄生单元在对应于所述偏置电压片的位置设置有用于容纳所述偏置电压片的U型槽。
10.根据权利要求1、2、3、4、6、7、8或9所述的电磁阵元,其特征在于,
所述反射单元呈线型,对应的,所述电磁阵元为单极化电磁阵元;
或者,
所述反射单元呈十字型,对应的,所述电磁阵元为双极化电磁阵元;
或者,
所述反射单元呈圆形,对应的,所述电磁阵元为圆极化电磁阵元。
11.根据权利要求1、2、3、4、6、7、8或9所述的电磁阵元,其特征在于,所述可调控元件为变容二极管、PIN二极管或液晶。
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