[发明专利]显示设备

权利要求书

1.一种显示设备，所述显示设备包括用于发射第一颜色光的第一子像素、用于发射第二颜色光的第二子像素和用于发射第三颜色光的第三子像素，所述显示设备包括：

布置在基板上的所述第一子像素的第一有机发光二极管、所述第二子像素的第二有机发光二极管和所述第三子像素的第三有机发光二极管；

共同包括在所述第一有机发光二极管和所述第二有机发光二极管中的第一中间层，所述第一中间层包括第一发射层和第一空穴传输层；

包括在所述第三有机发光二极管中的第二中间层，所述第二中间层包括第二发射层和第二空穴传输层；和

布置为分别与所述第一有机发光二极管、所述第二有机发光二极管和所述第三有机发光二极管重叠的第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射窗口，其中：

所述第一发射层和所述第二发射层配置为发射彼此不同的颜色光，并且

所述第一空穴传输层的空穴迁移率与所述第二空穴传输层的空穴迁移率不同。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其中：

所述第一空穴传输层通过用氧化物掺杂有机材料的主体来形成，并且

所述第二空穴传输层通过用p-型有机掺杂剂掺杂所述有机材料的所述主体来形成。

3.根据权利要求2所述的显示设备，其中所述氧化物的介电常数为3至60。

4.根据权利要求2所述的显示设备，其中所述氧化物包括HfO_x、ZrO_x、LaO_x、La₂O₃、LaAlO_x、TaO_x、AlO_x、Al₂O₃、SiO₂、ZrSiO₄、HfSiO₄、SrO、Y₂O₃、CaO、BaO、BaZrO、MgO、TiO₂和Si₃N₄中的至少一种，x为大于0的实数。

5.根据权利要求2所述的显示设备，其中所述第一空穴传输层中的所述氧化物的掺杂浓度为0.5％至30％。

6.根据权利要求2所述的显示设备，其中：

所述p-型有机掺杂剂包括含氰基化合物，并且

所述第二空穴传输层中的所述p-型有机掺杂剂的掺杂浓度为0.5％至25％。

7.根据权利要求1所述的显示设备，其中：

所述第一空穴传输层通过用在第一掺杂浓度下的氧化物掺杂有机材料的主体来形成，

所述第二空穴传输层通过用在第二掺杂浓度下的所述氧化物掺杂所述有机材料的所述主体来形成，并且

所述第一掺杂浓度与所述第二掺杂浓度不同。

8.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括布置在所述基板上并且在所述第一发射层和所述第二发射层之间的堤挡。

9.根据权利要求8所述的显示设备，其中所述堤挡布置在限定所述第一有机发光二极管、所述第二有机发光二极管和所述第三有机发光二极管的发射区的像素限定层上，并且围绕所述第三有机发光二极管。

10.根据权利要求1所述的显示设备，其中：

所述第一中间层进一步包括布置在所述第一发射层上的第1-1发射层，并且

所述第二中间层进一步包括布置在所述第二发射层上的第2-1发射层。

11.根据权利要求10所述的显示设备，其中所述第1-1发射层包括与包括在所述第2-1发射层中的材料相同的材料。