[发明专利]一种晶片贯穿型缺陷的检测方法及装置在审
申请号: | 202111332605.7 | 申请日: | 2021-11-11 |
公开(公告)号: | CN114047202A | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
发明(设计)人: | 陈豆;潘刘晨;方秀亮;潘尧波 | 申请(专利权)人: | 中电化合物半导体有限公司 |
主分类号: | G01N21/91 | 分类号: | G01N21/91;G01N21/78;G01N21/01 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 苗晓娟 |
地址: | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶片 贯穿 缺陷 检测 方法 装置 | ||
1.一种晶片贯穿型缺陷的检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一晶片容纳装置;
将一待检测晶片置于所述晶片容纳装置中,其中,所述待检测晶片的一侧涂覆有第一溶液,另一侧涂覆有第二溶液,所述第一溶液与所述第二溶液相遇后发生变色反应;
对装有所述待检测晶片的晶片容纳装置抽真空并在真空状态下保持一段时间;
取出所述待检测晶片,观察其表面的颜色变化。
2.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,对装有所述待检测晶片的晶片容纳装置抽真空至5000pa以下,并在此状态下保持5~30min。
3.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述第一溶液为酸或碱溶液,所述第二溶液为与所述第一溶液相对应的酸碱指示剂。
4.根据权利要求3所述的检测方法,其特征在于,所述第一溶液为弱酸溶液或弱碱溶液,所述弱酸溶液为醋酸、次氯酸、亚氯酸、硫酸氢钠溶液中的一种或几种,所述弱碱溶液为氨水或碳酸钠溶液。
5.根据权利要求3所述的检测方法,其特征在于,所述酸碱指示剂为甲基橙、酚酞、溴甲酚绿甲基红中的一种。
6.一种用于权利要求1-5任一所述的晶片贯穿型缺陷的检测方法的检测装置,其特征在于,包括:
晶片容纳装置,其包括第一盖体和第二盖体,所述第一盖体上设有抽气口,所述第二盖体与所述第一盖体对应连接,所述第二盖体与所述第一盖体扣合形成一晶片容纳腔;及
抽真空装置,与所述抽气口相连。
7.根据权利要求6所述的检测装置,其特征在于,所述第一盖体与所述第二盖体的连接处设有密封装置。
8.根据权利要求6所述的检测装置,其特征在于,所述第一盖体内设有第一支撑筋,所述第二盖体内设有与所述第一支撑筋对应的第二支撑筋,待检测晶片置于所述第一支撑筋和所述第二支撑筋之间。
9.根据权利要求8所述的检测装置,其特征在于,所述待检测晶片两侧的晶片容纳腔内填充有多孔材料。
10.根据权利要求9所述的检测装置,其特征在于,所述多孔材料为多孔石墨。
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