[发明专利]一种纳米压电纤维薄膜材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.纳米压电纤维薄膜材料，其特征在于，包括基体材料和增强体材料，所述增强体材料分散在所述基体材料中，所述基体材料包括70～100质量份的聚(偏氰乙烯/醋酸乙烯酯)，所述增强体材料包括2～15质量份的二维纳米压电材料。

2.根据权利要求1所述的纳米压电纤维薄膜材料，其特征在于，所述二维纳米压电材料为二维过渡金属硫族化合物。

3.根据权利要求2所述的纳米压电纤维薄膜材料，其特征在于，所述二维过渡金属硫族化合物选自MoSe₂、MoS₂、MoTe₂、WS₂、WSe₂、WTe₂、SnS、SnSe、In₂Se₃、In₂S₃中的至少一种。

4.纳米压电纤维薄膜，其特征在于，包括权利要求1至3中任一项所述的纳米压电纤维薄膜材料。

5.权利要求4所述的纳米压电纤维薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

取聚(偏氰乙烯/醋酸乙烯酯)溶解于有机溶剂中，并加入二维压电纳米材料，搅拌均匀，得到纺丝液；

取所述纺丝液，静电纺丝得到薄膜材料，电场极化后得到所述纳米压电纤维薄膜。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述薄膜材料在电场极化前还进行了单轴拉伸处理。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述电场极化的参数设置为：140～180℃温度条件，30～60MV/m的电场强度下极化1～2小时。

8.物体的表面杀菌方法，其特征在于，将权利要求4所述的纳米压电纤维薄膜与所述物体的表面接触，按压所述纳米压电纤维薄膜。

9.权利要求1至3中任一项所述的纳米压电纤维薄膜材料或权利要求4所述的纳米压电纤维薄膜在制备杀菌产品或物体表面杀菌中的应用。

10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于，杀菌针对的菌种包括金黄色葡萄糖菌、大肠杆菌、白色念珠菌中的至少一种。