[发明专利]一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器有效
| 申请号： | 202111334523.6 | 申请日： | 2021-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN114019605B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 惠战强;文习建;韩冬冬;李田甜;葛海波;巩稼民 | 申请（专利权）人： | 西安邮电大学 |
| 主分类号： | G02B6/126 | 分类号： | G02B6/126;G02B6/14;G02B6/124 |
| 代理公司： | 西安泛想力专利代理事务所(普通合伙) 61260 | 代理人： | 石琳丹 |
| 地址： | 710121 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 对角 刻蚀 波长 光栅 型片上 偏振 旋转 | ||
1.一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，所述偏振旋转器包括：衬底(1)；所述衬底(1)的顶部设置有一段条形波导(2)，形成偏振旋转区域；其特征在于，
沿着入射光的传输方向，所述条形波导(2)的其中一组对角上分别开有若干个第一凹槽(3)和若干个第二凹槽(4)，形成第一亚波长光栅和第二亚波长光栅；
所述若干个第一凹槽(3)和第二凹槽(4)内均填充有二氧化硅。
2.根据权利要求1所述的一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，所述衬底(1)为二氧化硅衬底；
所述条形波导(2)为硅波导。
3.根据权利要求1所述的一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，所述条形波导(2)的周围包覆有二氧化硅层(5)。
4.根据权利要求2所述的一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，所述衬底(1)的厚度为2μm。
5.根据权利要求1所述的一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，所述条形波导(2)的厚度H＝400nm，宽度W＝400nm，长度LC＝5.75μm。
6.根据权利要求1所述的一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，所述第一凹槽(3)和所述第二凹槽(4)个数相同。
7.根据权利要求5所述的一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，所述第一凹槽(3)的长度为WA＝210～290nm，所述第一凹槽(4)的高度为HA＝135～165nm，所述第二凹槽(4)的长度为WB＝135～165nm，所述第二凹槽(4)的高度为HB＝210～290nm。
8.根据权利要求7所述的一种基于SOI的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器，其特征在于，
所述第一凹槽(3)和所述第二凹槽(4)的宽度均为a＝95～130nm；
相邻所述第一凹槽(3)之间的距离和相邻所述第二凹槽(4)之间均为Λ＝95～130nm。
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