[发明专利]一种基于背接触的叠层电池及其制备方法

权利要求书

1.一种基于背接触的叠层电池，其特征在于，所述叠层电池依次包括叠置的HJT底电池和钙钛矿顶电池；

所述HJT底电池自上而下依次包括N+型掺杂非晶硅层（8）、第一本征非晶硅钝化层（9）、N型单晶硅衬底（10）、第二本征非晶硅钝化层（11）、P型掺杂非晶硅层（12）、背面TCO层（13）以及背面栅线电极（14）；

所述钙钛矿顶电池自上而下依次包括正面栅线电极（1）以及正面TCO层（2）、顶电极缓冲层（3）、电子传输层（4）、钙钛矿吸光层（5）、空穴传输层（6）、隧穿层（7）；所述钙钛矿顶电池通过隧穿层（7）与HJT底电池连接；

所述叠层电池还开设有依次贯穿钙钛矿顶电池、隧穿层（7）以及HJT底电池的贯穿孔，所述贯穿孔中设有孔内电极（16），并且贯穿孔的内壁与孔内电极（16）之间设有孔内绝缘胶（15）。

2.根据权利要求1所述的一种基于背接触的叠层电池，其特征在于，所述隧穿层（7）为透明导电膜、微晶-非晶薄膜或由SnO₂材料制成。

3.一种权利要求1所述的基于背接触的叠层电池的制备方法，其特征在于，按以下步骤进行制备：

S01、硅片清洗抛光：对N型单晶硅基底进行制绒和清洗，去除硅基底表面的机械损伤层和污染物，形成金字塔绒面；

S02、双面沉积本征非晶硅层；

S03、正面进行N+型掺杂非晶硅层（8）的沉积；

S04、背面进行P型掺杂非晶硅层（12）的沉积；

S05、在镀有P型掺杂非晶硅层（12）所在表面进行背面TCO层（13）的沉积；

S06、在镀有N+型掺杂非晶硅层（8）所在表面制备隧穿层（7）；

S07、在隧穿层（7）上制备空穴传输层（6）；

S08、在空穴传输层（6）上制备钙钛矿吸光层（5）；

S09、在钙钛矿吸光层（5）上制备电子传输层（4）；

S10、在电子传输层（4）上制备顶电极缓冲层（3）；

S11、在顶电极缓冲层（3）上制备正面TCO层（2），得到叠层半成品电池；

S12、对所得叠层半成品电池进行激光打孔；

S13、孔内绝缘处理：通过印刷绝缘胶，将孔内壁及开孔外沿涂上绝缘胶；

S14、丝网印刷堵孔浆料：将堵孔浆料从背面印刷入内壁固化有绝缘胶的孔中；

S15、在背面TCO层（13）上制备背面栅线电极（14）；

S16、在正面TCO层（2）上制备正面栅线电极（1）；完毕。

4.根据权利要求3所述的一种基于背接触的叠层电池的制备方法，其特征在于，步骤S06中制备的隧穿层（7）为透明导电膜ITO。

5.根据权利要求3所述的一种基于背接触的叠层电池的制备方法，其特征在于，步骤S06中制备的隧穿层（7）是用微晶-非晶薄膜反向重掺所做的隧穿结层。

6.根据权利要求3所述的一种基于背接触的叠层电池的制备方法，其特征在于，步骤S06中制备的隧穿层（7）由SnO₂材料制成。