[发明专利]一种半导体器件

说明书

本申请提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括：衬底；设置于衬底上的半导体叠层；依次设置于半导体叠层上的钝化层和第一介质层；源极金属、漏极金属和栅极金属依次贯穿第一介质层和钝化层以分别与半导体叠层接触；设置于钝化层和第一介质层之间的场板金属，场板金属位于栅极金属和漏极金属之间。场板金属能够辅助源极场板对栅脚处的电场进行调制，便于提高电场调制效果，并且有利于减小栅极金属的栅帽体积（栅场板体积），从而降低C_gd和C_gs，使得电场调制与C_gd和C_gs之间具有较好的平衡。由于场板金属靠近栅极金属设置，因此，还可以有效的屏蔽沟道处来自漏极的电势线，防止器件自激振荡。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件。

背景技术

对于射频GaN器件，在高频工作下，寄生电容对器件的射频性能有着显著影响，其中栅源之间的寄生电容（C_gs）、栅漏之间的寄生电容（C_gd）的大小，对器件的射频性能有着重要的影响。因此，通常来讲需要降低C_gs和C_gd从而提高器件射频性能。

现有器件为降低C_gd，通常会将栅帽做的较小，这会导致栅脚处电场较为集中，峰值电场过高，造成器件耐压降低，使得器件可靠性受到影响。此外，现有器件通常通过制作源极场板来屏蔽来自介质层内的电势线，但是对于来自沟道的电势线屏蔽效果较差。

发明内容

本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种半导体器件，能够在电场调制和降低C_gs、C_gd之间达到较好的平衡，同时，有效屏蔽沟道处来自漏极的电势线。

为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

本申请实施例的一方面，提供一种半导体器件，包括：衬底；设置于衬底上的半导体叠层；依次设置于半导体叠层上的钝化层和第一介质层；还包括源极金属、漏极金属和栅极金属，源极金属、漏极金属和栅极金属依次贯穿第一介质层和钝化层以分别与半导体叠层接触；设置于钝化层和第一介质层之间的场板金属，场板金属位于栅极金属和漏极金属之间，且场板金属与栅极金属不接触。

可选的，半导体器件还包括设置于栅极金属上的第二介质层以及设置于第二介质层上的源极场板。

可选的，栅极金属在衬底的正投影与场板金属在衬底的正投影相交。

可选的，源极场板在衬底的正投影位于场板金属在衬底的正投影和漏极金属在衬底的正投影之间。

可选的，场板金属与源极场板或源极金属连接。

可选的，场板金属为浮空场板。

可选的，栅极金属包括相互连接的栅脚和栅帽，栅脚与半导体叠层接触，栅帽位于第一介质层上。

可选的，在第一介质层上设置有空腔，栅帽在衬底的正投影覆盖空腔在衬底的正投影。

可选的，场板金属部分位于空腔。

可选的，半导体器件包括多个场板金属，多个场板金属自栅极金属至漏极金属方向依次间隔设置。

本申请的有益效果包括：