[发明专利]一种桥臂串扰处理方法、装置、电子设备及存储介质

权利要求书

1.一种桥臂串扰处理方法，其特征在于，所述桥臂串扰处理方法应用于逆变桥，所述逆变桥的每一桥臂均连接有串扰抑制组件，所述方法包括：

当任一桥臂导通时，获取预设周期内输入的直流电压值；

依据所述周期、所述直流电压值以及预设的最大栅极电压公式确定目标桥臂的最大栅极电压，其中，所述目标桥臂与导通的桥臂关联；

当所述最大栅极电压超过所述目标桥臂的预设栅极电压阈值时，控制所述串扰抑制组件动作，以防止所述目标桥臂发生串扰。

2.如权利要求1所述的桥臂串扰处理方法，其特征在于，所述目标桥臂包括MOS管，所述最大栅极电压公式为：

其中，V_gsM表示最大栅极电压，v_gs(t_r)表示周期时间内的栅极与源极之间的电压，R_g表示MOS管的等效电阻，C_gd表示栅极与漏极之间的等效电容，V_DC表示输入的直流电压值，t_r表示周期时间，C_iss表示MOS管的输入电容，且C_iss＝C_gd+C_gs，C_gs表示栅极与源极之间的等效电容。

3.如权利要求1所述的桥臂串扰处理方法，其特征在于，所述目标桥臂包括MOS管，所述串扰抑制组件包括密勒钳位器，所述密勒钳位器与所述MOS管的栅极与源极相连，所述控制所述串扰抑制组件动作，以防止所述目标桥臂发生串扰的步骤包括：

控制所述密勒钳位器导通，以防止所述目标桥臂发生串扰。

4.如权利要求1所述的桥臂串扰处理方法，其特征在于，所述目标桥臂包括MOS管，所述串扰抑制组件包括外接电容，所述外接电容与所述MOS管连接，所述控制所述串扰抑制组件动作，以防止所述目标桥臂发生串扰的步骤包括：

控制所述外接电容导通，以防止所述目标桥臂发生串扰。

5.如权利要求1所述的桥臂串扰处理方法，其特征在于，所述目标桥臂包括MOS管，所述串扰抑制组件包括负压关断模块，所述负压关断模块与所述MOS管连接，所述控制所述串扰抑制组件动作，以防止所述目标桥臂发生串扰的步骤包括：

控制所述负压关断模块导通，以防止所述目标桥臂发生串扰。

6.如权利要求1所述的桥臂串扰处理方法，其特征在于，在所述确定目标桥臂的最大栅极电压的步骤之后，所述方法还包括：

当所述最大栅极电压小于或等于所述目标桥臂的预设栅极电压阈值时，控制所述串扰抑制组件不动作。

7.一种桥臂串扰处理装置，其特征在于，所述桥臂串扰处理装置应用于逆变桥，所述逆变桥的每一桥臂均连接有串扰抑制组件，所述装置包括：

数据获取单元，用于当任一桥臂导通时，获取预设周期内输入的直流电压值；

数据处理单元，用于依据所述周期、所述直流电压值以及预设的最大栅极电压公式确定目标桥臂的最大栅极电压，其中，所述目标桥臂与导通的桥臂关联；

控制单元，用于当所述最大栅极电压超过所述目标桥臂的预设栅极电压阈值时，控制所述串扰抑制组件动作，以防止所述目标桥臂发生串扰。

8.如权利要求7所述的桥臂串扰处理装置，其特征在于，所述目标桥臂包括MOS管，所述最大栅极电压公式为：

其中，V_gsM表示最大栅极电压，v_gs(t_r)表示周期时间内的栅极与源极之间的电压，R_g表示MOS管的等效电阻，C_gd表示栅极与漏极之间的等效电容，V_DC表示输入的直流电压值，t_r表示周期时间，C_iss表示MOS管的输入电容，且C_iss＝C_gd+C_gs，C_gs表示栅极与源极之间的等效电容。