[发明专利]CdTe/CsPbBr3

权利要求书

1.一种CdTe/CsPbBr₃量子点异质结光探测薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)：将镉源、碲粉分别溶解后，将镉溶液注入到含碲溶液中，得到CdTe量子点前体溶液，然后加入抗溶剂分散离心，得到CdTe量子点，并将其分散在溶剂中；

步骤2)：将等摩尔比的铯源和铅源溶解在溶剂中，并加入表面活性配体，搅拌溶解，得到CsBr-PbBr₂混合溶液，即CsPbBr₃量子点前体溶液；

步骤3)：在CsPbBr₃量子点前体溶液中加入CdTe量子点溶液，搅拌，将其旋涂后得到CdTe/CsPbBr₃量子点异质结光探测薄膜，对其进行退火增加其结晶度。

2.如权利要求1所述的CdTe/CsPbBr₃量子点异质结光探测薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，镉源为氧化镉、硬脂酸镉中的至少一种，镉源溶解于油酸中，碲粉溶解于三辛基膦中，抗溶剂为甲醇、乙醇中的至少一种。

3.如权利要求1所述的CdTe/CsPbBr₃量子点异质结光探测薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，铯源为溴化铯，铅源为溴化铅，溶剂为N,N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合物，表面活性配体为油胺和油酸的混合物。

4.如权利要求3所述的CdTe/CsPbBr₃量子点异质结光探测薄膜的制备方法，其特征在于，所述CdTe量子点前体溶液中，溴化铯、溴化铅的浓度均为0.25-1.5M。

5.如权利要求3所述的CdTe/CsPbBr₃量子点异质结光探测薄膜的制备方法，其特征在于，所述N,N-二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的体积比为3:1～9:1。

6.如权利要求1所述的CdTe/CsPbBr₃量子点异质结光探测薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中搅拌的温度为40-80℃。

7.如权利要求1所述的CdTe/CsPbBr₃量子点异质结光探测薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，旋涂的转速为1000-3000rpm/min，时间为10-60s。

8.如权利要求1所述的CdTe/CsPbBr₃量子点异质结光探测薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，退火的温度为70-150℃，时间为2-60min。