[发明专利]具有双集成散热器的模制半导体封装在审

专利信息
申请号: 202111338756.3 申请日: 2021-11-12
公开(公告)号: CN114496953A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 蔡柔燕;E·菲尔古特;R·奥特伦巴 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/473 分类号: H01L23/473;H01L23/367;H01L25/11
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 林金朝
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 集成 散热器 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种模制半导体封装,包括:

半导体管芯,所述半导体管芯嵌入模制化合物中;

第一散热器,所述第一散热器部分地嵌入所述模制化合物中并且热耦接到所述半导体管芯的第一侧;以及

第二散热器,所述第二散热器部分地嵌入所述模制化合物中并且热耦接到所述半导体管芯的与所述第一侧相对的第二侧,

其中,所述第一散热器包括从所述第一散热器的未被所述模制化合物覆盖的一侧突出并且背离所述半导体管芯的至少一个散热结构,

其中,所述模制化合物被配置成在平行于所述半导体管芯的所述第一侧的方向上在所述至少一个散热结构上方输送流体。

2.根据权利要求1所述的模制半导体封装,其中:

所述第一散热器还包括从所述第一散热器的未被所述模制化合物覆盖的所述一侧突出并且背离所述半导体管芯的一个或多个附加散热结构;并且

所述模制化合物被配置成在平行于所述半导体管芯的所述第一侧的方向上在所述一个或多个附加散热结构上方输送所述流体。

3.根据权利要求1所述的模制半导体封装,其中,所述第一散热器设置于所述模制半导体封装的底侧,其中,所述第一散热器的所述至少一个散热结构在所述模制半导体封装的所述底侧处与所述模制化合物共面终止,并且其中,所述模制半导体封装的所述底侧被配置为用于安装到电路板。

4.根据权利要求1所述的模制半导体封装,其中,所述第二散热器包括从所述第二散热器的未被所述模制化合物覆盖的一侧突出并且背离所述半导体管芯的至少一个散热结构,并且其中,所述模制化合物被配置成在平行于所述半导体管芯的所述第二侧的方向上在所述第二散热器的所述至少一个散热结构上方输送流体。

5.根据权利要求1所述的模制半导体封装,其中,所述第一散热器设置于与所述模制半导体封装的底侧相对的所述模制半导体封装的顶侧,其中,所述第一散热器的所述至少一个散热结构在所述模制半导体封装的所述顶侧处延伸超过所述模制化合物,并且其中,所述模制半导体封装的所述底侧被配置为用于安装到电路板。

6.根据权利要求1所述的模制半导体封装,其中,所述第一散热器还包括沿着所述第一散热器的未被所述模制化合物覆盖并且背离所述半导体管芯的周边横向包围所述至少一个散热结构的壁结构。

7.根据权利要求6所述的模制半导体封装,其中,所述第一散热器设置于所述模制半导体封装的底侧,其中,所述第一散热器的所述壁结构在所述模制半导体封装的所述底侧处与所述模制化合物共面终止,并且其中,所述模制半导体封装的所述底侧被配置为用于安装到电路板。

8.根据权利要求1所述的模制半导体封装,其中:

所述半导体管芯是垂直半导体管芯,在所述垂直半导体管芯的所述第一侧的第一电源接触焊盘和所述垂直半导体管芯的所述第二侧的第二电源接触焊盘之间具有主电流路径;

所述第一散热器热耦接到所述垂直半导体管芯的所述第一电源接触焊盘;并且

所述第二散热器热耦接到所述垂直半导体管芯的所述第二电源接触焊盘。

9.根据权利要求8所述的模制半导体封装,还包括:

插置于所述第一散热器和所述垂直半导体管芯的所述第一电源接触焊盘之间或者形成为所述第一散热器的部分的第一电重新分布结构;以及

插置于所述第二散热器和所述垂直半导体管芯的所述第二电源接触焊盘之间或者形成为所述第二散热器的部分的第二电重新分布结构。

10.根据权利要求1所述的模制半导体封装,还包括从所述第二散热器延伸并且从所述模制化合物的侧面突出的金属引线。

11.根据权利要求1所述的模制半导体封装,其中,所述第一散热器附接到所述半导体管芯的所述第一侧。

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