[发明专利]一种提高多晶硅还原炉能效的高纯石英质硅芯在审
申请号: | 202111339544.7 | 申请日: | 2021-11-12 |
公开(公告)号: | CN113816383A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 聂陟枫;王亚君;王晨;郭崎均;宋玉敏;郭婷婷;王海;谢刚 | 申请(专利权)人: | 昆明学院 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035;C04B35/14;C04B35/622 |
代理公司: | 昆明同聚专利代理有限公司 53214 | 代理人: | 谢丹丹 |
地址: | 650214 云南省*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 多晶 还原 能效 高纯 石英 质硅芯 | ||
1.一种提高多晶硅还原炉能效的高纯石英质硅芯,其特征在于,所述高纯石英质硅芯为空心硅芯,所述高纯石英质空心硅芯替代原多晶硅还原炉内的实心硅芯,所述高纯石英质硅芯以纯度为99.99%以上的高纯度结晶石英为原料,使用胶体处理方法制得。
2.根据权利要求1所述的提高多晶硅还原炉能效的高纯石英质硅芯,其特征在于:具体制备步骤如下:
将未加工的纯度在99.99%以上的高纯度结晶石英研磨至颗粒粒径为50 nm~300 μm,然后再将研磨后的石英颗粒分散到胶体溶液中;
再将分散到胶体溶液后的石英颗粒模制成硅芯型材,然后经干燥、烧结和退火处理;
将处理好的硅芯型材进行机械加工或结构修改,从而得到高纯石英质硅芯。
3.根据权利要求1所述的提高多晶硅还原炉能效的高纯石英质硅芯,其特征在于:所述空心硅芯为管状结构。
4.根据权利要求3所述的提高多晶硅还原炉能效的高纯石英质硅芯,其特征在于:管状硅芯半径为10 mm、20 mm、30 mm、40 mm或50 mm,管状硅芯沉积厚度为10 mm、20 mm、30 mm、40 mm或50 mm。
5.根据权利要求1所述的提高多晶硅还原炉能效的高纯石英质硅芯,其特征在于:所述空心硅芯为方状、十字架状或四角星状结构。
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