[发明专利]一种P型IBC电池的制备方法

权利要求书

1.一种P型IBC电池的制备方法，其特征在于，包括：

S1)在P型晶体硅基体的正面制绒；

S2)对制绒后的P型晶体硅进行双面硼扩散，在P型晶体硅基体表面形成P⁺掺杂硅层与硼硅玻璃层；

S3)去除双面硼扩散后P型晶体硅背面局部区域的硼硅玻璃层，裸漏出P⁺掺杂硅层；

S4)将去除局部区域硼硅玻璃层的P型晶体硅进行磷掺杂，使磷掺杂入裸漏的P⁺掺杂硅层中形成N⁺掺磷硅层及磷硅玻璃层；

S5)去除磷掺杂后的P型晶体硅表面的玻璃层；

S6)在去除玻璃层的P型晶体硅表面形成钝化层和/或减反层；

S7)在形成钝化层和/或减反层的P型晶体硅的背面分别制备与P⁺掺杂硅层接触的P⁺电极及与N⁺掺磷硅层相接触的N⁺电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2)中双面硼扩散时硼源为BBr₃或BCl₃；温度为950℃～1050℃；时间为40～60min。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3)中采用激光去除双面硼扩散后P型晶体硅背面局部区域的硼硅玻璃层；所述局部区域为叉指状。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，采用激光去除双面硼扩散后P型晶体硅背面局部区域的硼硅玻璃层，裸漏出P⁺掺杂硅层后，用碱处理，去除激光损伤。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4)中磷掺杂的方法为磷扩散；磷扩散时的磷源为POCl₃；温度为800℃～900℃；时间为5～10min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4)中磷掺杂的方法为离子注入；所述离子注入的温度为450℃～550℃；离子能量为50KeV～150KeV；

离子注入后还进行热处理；所述热处理的温度为800℃～900℃；所述热处理的时间为10～15min。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S5)采用氢氟酸去除磷掺杂后的P型晶体硅表面的玻璃层。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S6)具体为：

在去除玻璃层的P型晶体硅表面依次形成钝化层与减反层；

所述钝化层的厚度为5～20nm；所述减反层的厚度为65～85nm。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钝化层为氧化硅层或氮氧化硅层；所述减反层为氮化硅层。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S7)具体为：

在形成钝化层和/或减反层的P型晶体硅的背面分别用烧穿型银铝浆和烧穿型银浆进行金属化，得到P⁺掺杂硅层接触的P⁺电极及与N⁺掺杂硅层相接触的N⁺电极。