[发明专利]一种陶瓷电路基板的制备方法及陶瓷电路基板

权利要求书

1.一种陶瓷电路基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在陶瓷基板的表面上制作与所需要的电路图形对应的银铜钛合金层，所述银铜钛合金层当中加入有至少一层湿润金属层；

在所述银铜钛合金层上制作所需要的导电电路层；

在制作所述导电电路层之后或在制作所述导电电路层的过程中，还将陶瓷基板整体置于真空烧结炉中烧结；

其中，在真空烧结的过程当中，所述银铜钛合金层当中的银、铜和钛相互扩散，使所述银铜钛合金层形成为合金互化的活性钎焊层。

2.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板的制备方法，其特征在于，所述在陶瓷基板的表面上制作与所需要的电路图形对应的银铜钛合金层的步骤包括：

在所述陶瓷基板上溅射一层或多层夹叠的钛铜金属层；

在所述钛铜金属层上铺设感光干膜，并将所需要的电路图形对应位置处的感光干膜曝光显影掉，以将所需要的电路图形对应位置处的钛铜金属层裸露；

得到所述银铜钛合金层。

3.根据权利要求2所述的陶瓷电路基板的制备方法，其特征在于，还包括：

在裸露的钛铜金属层上叠加制作银铜金属层的过程当中，以中途停顿加入或合金共同电解的方法加入所述至少一层湿润金属层。

4.根据权利要求1或2所述的陶瓷电路基板的制备方法，其特征在于，在所述银铜钛合金层当中，银的重量配比为52％-68％，铜的重量配比为20％-35.25％，钛的重量配比为1.75％-3％。

5.根据权利要求1或3所述的陶瓷电路基板的制备方法，其特征在于，所述湿润金属层的材料包括锡、锌和铟金属当中的至少一种，所述湿润金属层的重量占所述银铜钛合金层总重量的0.5％–3％。

6.根据权利要求2所述的陶瓷电路基板的制备方法，其特征在于，在所述银铜钛合金层上制作所需要的导电电路层的步骤包括：

将剩余未被曝光显影掉的感光干膜进行增厚；

在裸露的银铜钛合金层上加厚沉积出应用电路设计所需厚度的导电电路层；

去除剩余感光干膜，并将剩余感光干膜覆盖的非电路部份的银铜钛合金层蚀刻掉。

7.根据权利要求2所述的陶瓷电路基板的制备方法，其特征在于，在所述银铜钛合金层上制作所需要的导电电路层的步骤包括：

去除剩余感光干膜，并将剩余感光干膜覆盖的非电路部份的银铜钛合金层蚀刻掉；

在银铜钛合金层之上铺上一片应用电路设计所需厚度的无氧铜箔、并在无氧铜箔之上放入一片合适重量的压片；

将陶瓷基板整体连同压片一同置于真空烧结炉中烧结；

在烧结后的无氧铜箔层上涂布感光膜，并通过曝光显影的方式把不需要的无氧铜箔层上的感光膜蚀刻掉，以将不需要的无氧铜箔层裸露；

将裸露的无氧铜箔层蚀刻掉，剩余未被蚀刻掉的无氧铜箔层形成为所述导电电路层。

8.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板的制备方法，其特征在于，陶瓷基板整体的烧结条件为：烧结温度600-850℃，烧结保温时间60-240min。

9.根据权利要求2所述的陶瓷电路基板的制备方法，其特征在于，所述钛铜金属层通过溅射方式制作，溅射厚度为0.3μm-2μm。

10.一种陶瓷电路基板，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的陶瓷电路基板的制备方法制备得到。