[发明专利]一种电容的输入浪涌电流抑制电路及方法有效

专利信息
申请号: 202111343039.X 申请日: 2021-11-12
公开(公告)号: CN114006362B 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 余俊宏;徐意婷;王蓉;王凤岩;黄付刚;赵伟刚;王斌 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
主分类号: H02H9/02 分类号: H02H9/02
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 孙元伟
地址: 610036 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 电容 输入 浪涌 电流 抑制 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种电容的输入浪涌电流抑制电路,包括变阻电路,其特征在于,对变阻电路中场效应管Q1的导通内阻设有检测控制单元,利用所述检测控制单元对流过的浪涌电流进行检测,当浪涌电流大于设定值时立即使变阻电路恢复高阻,从而将储能电容支路从输入电源的负载中切除,实现抑制输入浪涌电流;

所述检测控制单元包括电阻R6、电阻R7、二极管D3、二极管D4、场效应管Q3和电容C2;场效应管Q3的栅极与变阻电路中场效应管Q1的栅极连接,场效应管Q3的源极与电阻R7的一端连接,电阻R7的另一端与变阻电路连接;所述电容C2的一端连接在场效应管Q3与场效应管Q1之间,另一端与二极管D3的一端连接,二极管D3的另一端分别与二极管D4的一端和变阻电路连接,二极管D4的另一端与三极管Q4的集电极连接,三极管Q4的基极与电阻R6的一端连接,电阻R6的另一端与储能电容连接,三极管Q4的发射极与场效应管Q3的漏极连接。

2.根据权利要求1所述的电容的输入浪涌电流抑制电路,其特征在于,所述储能电容的一端与电源连接,另一端与变阻电路连接,通过变阻电路连接电源。

3.根据权利要求2所述的电容的输入浪涌电流抑制电路,其特征在于,所述储能电容容量为120uF。

4.根据权利要求2所述的电容的输入浪涌电流抑制电路,其特征在于,所述电源包括270V直流电源。

5.一种基于权利要求1~4任一所述电容的输入浪涌电流抑制电路的实现方法,其特征在于,包括步骤:

S1,上电启动,使储能电容的负极通过导通的场效应管Q1接入电源;

S2,当电源输入发生剧烈上跳时,在储能电容上造成浪涌电流,该浪涌电流流过场效应管Q1时,将在场效应管Q1的导通电阻上产生电压,通过所述电阻R6驱动三极管Q4;

S3,在Q3导通的情况下,三极管Q4通过二极管D4将场效应管Q1的栅极拉低,使场效应管Q1恢复至高阻态,从而抑制输入浪涌电流;同时,通过二极管D3能够将场效应管Q3迅速关断;

S4,对上电启动完成以后的电路状态,储能电容通过变阻电路完成对输入电压的跟随。

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