[发明专利]单电源接口电平转换器及芯片在审

专利信息
申请号: 202111343089.8 申请日: 2021-11-12
公开(公告)号: CN116131839A 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 田康迪;李增;许灵达;薛柏林;陈斌;李福强;杨晗欣 申请(专利权)人: 上海复旦微电子集团股份有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 200433 上海市杨浦区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电源接口 电平 转换器 芯片
【权利要求书】:

1.一种单电源接口电平转换器,其特征在于,包括:工作于同一电源、并依次连接的第一转换电路、第二转换电路、以及缓冲器;

所述第一转换电路用于接收输入信号,对所述输入信号进行反相及电平转换,得到第一转换信号;

所述第二转换电路用于接收所述输入信号和所述第一转换信号,对所述输入信号和所述第一转换信号进行电平转换,得到第二转换信号;

所述缓冲器用于输出所述第二转换信号,所述输入信号的幅度为0~VIN,所述第二转换信号作为输出信号,所述输出信号的幅度为0~VDD,VDD为所述电源的电压值。

2.根据权利要求1所述的单电源接口电平转换器,其特征在于,所述第一转换电路包括上拉单元和下拉单元;

所述上拉单元用于在所述输入信号的电平为0时,将所述第一转换信号的电平上拉至VDD;

所述下拉单元用于在所述输入信号的电平为VIN时,将所述第一转换信号的电平下拉为0。

3.根据权利要求2所述的单电源接口电平转换器,其特征在于,所述上拉单元包括:中间电压产生电路、第一PMOS管、电容,所述电容的一端分别与所述中间电压产生电路的输出端及所述第一PMOS管的源极连接,所述电容的另一端接地;所述下拉单元包括:第一NMOS管,所述第一NMOS管源极接地;所述第一PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的栅极连接,并接收所述输入信号,所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接,并输出所述第一转换信号;

所述中间电压产生电路用于在所述输入信号的电平为0时,将所述电源的电压传递到所述第一PMOS管的源极;所述电容使所述第一PMOS管的源极电压保持在稳定状态。

4.根据权利要求3所述的单电源接口电平转换器,其特征在于,所述中间电压产生电路包括一个或多个限流PMOS管,所述多个限流PMOS管依次串联连接,并且所述限流PMOS管的栅极接地。

5.根据权利要求4所述的单电源接口电平转换器,其特征在于,在所述限流PMOS管的栅极和地之间还连接有电阻。

6.根据权利要求1至5任一项所述的单电源接口电平转换器,其特征在于,所述第二转换电路包括:第一输入单元和第二输入单元;

所述第一输入单元包括:第二PMOS管和第二NMOS管,第二PMOS管的源极连接所述电源,第二PMOS管的漏极连接第二NMOS管的漏极,第二NMOS管的栅极接收所述输入信号,第二NMOS管的源极接地;

所述第二输入单元包括:第三PMOS管和第三NMOS管,第三PMOS管的源极连接所述电源,第三PMOS管的漏极连接第三NMOS管的漏极,第三NMOS管的栅极输入所述第一转换信号,第三NMOS管的源极接地;

第二PMOS管的栅极连接第三PMOS管的漏极,第三PMOS管的栅极连接第二PMOS管的漏极。

7.根据权利要求6所述的单电源接口电平转换器,其特征在于,所述缓冲器包括:串联连接的第一反相器和第二反相器。

8.根据权利要求7所述的单电源接口电平转换器,其特征在于,所述第一反相器包括:第四PMOS管和第四NMOS管;第四PMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极相连,并作为所述缓冲器的输入端;第四PMOS管的源极连接所述电源,第四NMOS管的源极接地;第四PMOS管的漏极与第四NMOS管的漏极连接,并作为所述第一反相器的输出端。

9.根据权利要求7所述的单电源接口电平转换器,其特征在于,所述第二反相器包括:第五PMOS管和第五NMOS管;第五PMOS管的栅极与第五NMOS管的栅极相连,并作为所述第二反相器的输入端;第五PMOS管的源极连接所述电源,第五NMOS管的源极接地;第五PMOS管的漏极与第五NMOS管的漏极连接,并作为所述缓冲器的输出端。

10.一种芯片,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述的单电源接口电平转换器。

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