[发明专利]一种半导体激光器阵列控制系统及其工作方法

权利要求书

1.一种半导体激光器阵列控制系统，其特征在于，包括：

热沉；

半导体激光器阵列，位于所述热沉上，所述半导体激光器阵列包括依次排布的第一发光芯片至第D发光芯片，D为大于等于2的整数；

焊料层，位于所述半导体激光器阵列和所述热沉之间；

施压装置，位于所述半导体激光器阵列背离所述热沉的一侧；

近场成像透镜、图像传感器和快轴准直透镜，所述快轴准直透镜位于所述半导体激光器阵列和所述近场成像透镜之间，所述近场成像透镜适于将第一发光芯片至第D发光芯片分别发出的光传输在所述图像传感器上，以使图像传感器显示近场光斑图像，所述近场光斑图像包括第一发光区至第D发光区，第j发光区对应第j发光芯片，j为大于等于1且小于等于D的整数；

施压判断单元，所述施压判断单元适于从第一发光区至第D发光区中获取特征发光区，并根据所述特征发光区从第一发光芯片至第D发光芯片中获取需要施加的特征发光芯片，所述特征发光区具有极大值质心；

反馈结构，所述反馈结构适于在所述焊料层进行封装回流过程中采用所述施压装置对所述特征发光芯片施压，直至任意的第j₁发光芯片和第j₂发光芯片在快轴方向上的距离小于阈值，j₁为大于等于1且小于等于D的整数，j₂为大于等于1且小于等于D的整数，且j₁不等于j₂。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列控制系统，其特征在于，所述施压装置还包括：第一施压件至第M施压件，第m施压件适于给第d₁发光芯片至第d₂发光芯片施压，m为大于等于1且小于等于M的整数，d₁为大于等于1且小于等于D的整数，d₂为大于等于1且小于等于D的整数，M为大于等于2的整数且小于等于D的整数，且d₂大于d₁。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列控制系统，其特征在于，所述近场成像透镜包括第一成像透镜和第二成像透镜，所述第一成像透镜与所述快轴准直透镜适于共同在快轴呈近场像，所述第二成像透镜与所述第一成像透镜适于共同在慢轴呈近场像。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器阵列控制系统，其特征在于，所述第一成像透镜为圆透镜，所述第二成像透镜为柱透镜。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列控制系统，其特征在于，所述图像传感器包括CCD相机。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列控制系统，其特征在于，还包括：光衰减片，所述光衰减片位于所述快轴准直透镜至所述图像传感器之间的光路中。

7.根据权利要求2所述的半导体激光器阵列控制系统，其特征在于，还包括：导电压块，所述导电压块位于所述半导体激光器阵列背离所述热沉的一侧；

所述导电压块中具有贯穿所述导电压块的若干开口；所述第一施压件至第M施压件分别穿过所述开口。

8.一种如权利要求1至7任意一项所述的半导体激光器阵列控制系统的工作方法，其特征在于，包括：

所述近场成像透镜将第一发光芯片至第D发光芯片分别发出的光传输在所述图像传感器上，以使图像传感器显示近场光斑图像，所述近场光斑图像包括第一发光区至第D发光区；

所述施压判断单元从第一发光区至第D发光区中获取特征发光区，并根据所述特征发光区从第一发光芯片至第D发光芯片中获取需要施加的特征发光芯片，所述特征发光区具有极大值质心；

在对所述焊料层进行封装回流过程中，所述反馈结构采用施压装置对特征发光芯片施压，直至任意的第j₁发光芯片和第j₂发光芯片在快轴方向上的距离小于阈值，j₁为大于等于1且小于等于D的整数，j₂为大于等于1且小于等于D的整数，且j₁不等于j₂。