[发明专利]扩展量程真空测量芯片及其成形方法

权利要求书

1.一种扩展量程真空测量芯片，其特征在于，包括：

基体，所述基体包括隔热腔；

第一隔热层，所述第一隔热层覆盖所述基体的第一面，且位于所述隔热腔上方；

第一热敏传感器，设于所述第一隔热层；

第二热敏传感器；设于所述第一隔热层，且与所述第一热敏传感器间隔设置；

热辐射传感器，设于所述第一隔热层，且位于所述第二热敏传感器远离所述第一热敏传感器的一侧，所述热辐射传感器包括热辐射源；以及，

热电堆传感器，设于所述基体的第一面，与所述热辐射传感器间隔设置，且位于所述热辐射传感器远离所述第二热敏传感器的一侧；所述热电堆传感器靠近热辐射传感器，两者之间采用连续膜；所述热电堆传感器用于测量热辐射源通过热辐射传递的热量，以对超真空进行测量。

2.根据权利要求1所述的扩展量程真空测量芯片，其特征在于，所述第一热敏传感器和所述第二热敏传感器的两侧设有隔热槽，所述隔热槽连通所述隔热腔。

3.根据权利要求1所述的扩展量程真空测量芯片，其特征在于，所述第二热敏传感器的数量为两个，两个所述第二热敏传感器间隔设置，且均位于所述第一热敏传感器与所述热辐射传感器之间。

4.根据权利要求1所述的扩展量程真空测量芯片，其特征在于，所述扩展量程真空测量芯片还包括第三热敏传感器，设于所述基体的第一面，且位于所述热电堆传感器远离所述热辐射传感器的一侧。

5.根据权利要求1所述的扩展量程真空测量芯片，其特征在于，所述第一隔热层包括第一隔热膜；

或者，所述第一隔热层包括第一隔热膜以及第一缓冲膜，所述第一缓冲膜覆盖所述基体的第一面，且位于所述基体与所述第一隔热层之间；

所述热电堆传感器设于所述第一缓冲膜。

6.根据权利要求1所述的扩展量程真空测量芯片，其特征在于，所述扩展量程真空测量芯片还包括第二隔热层，所述第二隔热层设于所述基体的第二面。

7.根据权利要求1所述的扩展量程真空测量芯片，其特征在于，所述扩展量程真空测量芯片还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述第一热敏传感器、第二热敏传感器、热辐射传感器和热电堆传感器。

8.一种扩展量程真空测量芯片的成形方法，其特征在于，所述成形方法包括：

提供基体；

在所述基体的第一面沉积第一隔热层；

在所述基体的第一面沉积热电堆传感器；

在所述第一隔热层形成热辐射传感器、第一热敏传感器和第二热敏传感器；其中，第一热敏传感器、第二热敏传感器和所述热辐射传感器间隔设置；所述热辐射传感器包括热辐射源；

所述热电堆传感器与所述热辐射传感器间隔设置，且位于所述热辐射传感器远离所述第二热敏传感器的一侧；热电堆传感器靠近热辐射传感器，两者之间采用连续膜；所述热电堆传感器用于测量热辐射源通过热辐射传递的热量，以对超真空进行测量；

刻蚀所述基体的第二面形成隔热腔。

9.根据权利要求8所述的扩展量程真空测量芯片的成形方法，其特征在于，所述成形方法还包括在所述基体的第一面形成第三热敏传感器，其中，所述第三热敏传感器位于所述热电堆传感器远离所述热辐射传感器的一侧。

10.根据权利要求9所述的扩展量程真空测量芯片的成形方法，其特征在于，所述成形方法还包括形成覆盖所述第一热敏传感器、第二热敏传感器、第三热敏传感器、热辐射传感器和热电堆传感器的钝化层。

11.根据权利要求10所述的扩展量程真空测量芯片的成形方法，其特征在于，所述成形方法还包括刻蚀形成隔热槽，其中，所述隔热槽位于第一热敏传感器和第二热敏传感器的两侧，且连通所述隔热腔。