[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

晶圆本体，所述晶圆本体具有相对的第一表面和第二表面；

设置在所述晶圆本体第一表面的导电金属层；

设置在所述晶圆本体第二表面的背金导电层；

以及，设置在所述背金导电层表面的金属遮挡层；

其中，所述晶圆本体的第二表面设有贯通所述晶圆本体至所述导电金属层的通孔，所述背金导电层设置在所述通孔的侧壁并与所述导电金属层电连接，所述金属遮挡层至少部分覆盖在所述通孔上，并在所述通孔的孔口处形成遮挡结构，以阻挡焊料进入所述通孔。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属遮挡层上设有贯通至所述通孔的导液孔。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述金属遮挡层在远离所述导电金属层的一侧设置有与所述通孔对应的凹槽，所述导液孔位于所述凹槽内，且所述凹槽在所述第一表面上的投影尺寸小于所述通孔的孔口在所述第一表面上的投影尺寸。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述金属遮挡层的表面还设置有第一阻焊层，所述第一阻焊层填塞在所述导液孔内，用于阻挡所述焊料。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一阻焊层设置在所述凹槽内，并覆盖所述导液孔，且所述第一阻焊层覆盖所述凹槽的表面。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一阻焊层设置在所述凹槽内和所述凹槽的外围，且所述第一阻焊层在所述第一表面的投影尺寸大于或等于所述通孔的孔口在所述第一表面的投影尺寸，以使所述第一阻焊层遮挡所述通孔。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一阻焊层设置在所述导液孔的侧壁、所述金属遮挡层接合在所述通孔内的一侧表面以及所述金属遮挡层背离所述通孔的一侧表面。

8.根据权利要求2-6任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述背金导电层和所述金属遮挡层之间还设置有第二阻焊层，所述第二阻焊层分布在所述通孔的孔口附近，并延伸至所述金属遮挡层接合在所述通孔内的一侧表面。

9.一种半导体器件的制备方法，用于制备如权利要求1-8任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述方法包括：

在晶圆本体的第一表面形成导电金属层；

在所述晶圆本体的第二表面形成贯通所述晶圆本体至所述导电金属层的通孔；

在所述晶圆本体的第二表面形成背金导电层，所述背金导电层还形成于所述通孔的侧壁并和所述导电金属层电连接；

在所述背金导电层的表面形成金属遮挡层；

其中，所述金属遮挡层至少部分覆盖在所述通孔上，并在所述通孔的孔口处形成遮挡结构，以阻挡焊料进入所述通孔。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述背金导电层的表面形成金属遮挡层的步骤，包括：

在所述背金导电层的表面形成具有开孔的第二种子金属层，

在所述第二种子金属层的表面形成所述金属遮挡层，并在所述金属遮挡层的中心形成与所述通 孔导通的导液孔。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述背金导电层的表面形成具有开孔的第二种子金属层的步骤，包括：

在所述背金导电层的表面涂布第一光刻胶，并利用光刻工艺形成填充在所述通孔内的第一遮挡掩膜；

在所述背金导电层的表面涂布第二光刻胶，并利用光刻工艺在所述第一遮挡掩膜上形成第二遮挡掩膜；

在所述背金导电层的表面进行金属蒸发或溅射工艺，以形成第二种子金属层；

剥离所述第二遮挡掩膜，并在所述第二种子金属层上形成开孔。