[发明专利]存储器装置、存储器控制器和存储器系统

说明书

本申请涉及存储器装置、存储器控制器和存储器系统。一种存储器装置包括：包括多个页的存储块；外围电路，其被配置为执行用于存储第一页数据的第一编程操作并且在第一编程操作之后执行用于存储第二页数据的第二编程操作；状态寄存器，其被配置为存储状态信息；缓存编程操作控制器，其被配置为控制外围电路以在第一编程操作正在被执行时从外部控制器加载第二页数据；以及状态寄存器控制器，其被配置为在状态寄存器中存储指示第一编程操作是否通过的第一失败信息，在从在第二编程操作开始时起的预定时间段内在状态寄存器中存储指示第一失败信息是否是有效信息的有效性信息，并且向外部控制器提供包括第一失败信息和有效性信息的状态信息。

技术领域

本公开的各种实施方式总体上涉及电子装置，更具体地涉及一种包括存储器装置的存储器系统及其操作方法。

背景技术

存储器系统是响应于诸如计算机或智能电话之类的主机装置的控制而存储数据的装置。存储器系统可以包括存储数据的存储器装置和控制存储器装置的存储器控制器。通常，存在两种类型的存储器装置：易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

易失性存储器装置可以仅在向其供电时存储数据，并且在没有供电的情况下会丢失所存储的数据。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)装置、动态随机存取存储器(DRAM)装置等。

非易失性存储器装置即使在供电被中断或阻塞时也可以保持所存储的数据。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)装置、可编程ROM(PROM)装置、电可编程ROM(EPROM)装置、电可擦除可编程ROM(EEPROM)装置、闪存装置等。

发明内容

本公开的各种实施方式涉及一种包括更快速地提供缓存编程操作是通过还是失败的存储器装置的存储器系统以及操作该存储器系统的方法。

根据一个实施方式，一种存储器装置可以包括：包括多个页的存储块；外围电路，其被配置为执行用于将第一页数据存储在多个页当中的第一页中的第一编程操作并且在第一编程操作之后执行用于将第二页数据存储在多个页当中的第二页中的第二编程操作；状态寄存器，其被配置为存储包括与第一编程操作和第二编程操作中的每一个相关的信息的状态信息；缓存编程操作控制器，其被配置为控制外围电路以在第一编程操作正在被执行时从外部控制器加载第二页数据；以及状态寄存器控制器，其被配置为在状态寄存器中存储指示第一编程操作是通过还是失败的第一失败信息，在从在第二编程操作开始时起的预定时间段内在状态寄存器中存储指示第一失败信息是否是有效信息的有效性信息，并且向外部控制器提供包括第一失败信息和有效性信息的状态信息。

根据另一实施方式，一种被配置为控制包括多个页的存储器装置的存储器控制器可以包括：数据缓冲器，其被配置为临时存储要存储在存储器装置中的页数据；以及处理器，其被配置为向存储器装置提供要存储在多个页当中的第一页中的第一页数据，当第一页数据正在被存储时向存储器装置提供要存储在第二页中的第二页数据，并且在第二页数据被存储之前从存储器装置获得指示存储器装置的内部状态的状态信息。状态信息可以包括指示用于存储第一页数据的编程操作是通过还是失败的失败信息以及指示失败信息是有效还是无效的有效性信息。

根据另一实施方式，存储器系统可以包括：存储器装置，其被配置为当正在执行用于将第一数据存储在多个页当中的被选页中的第一编程操作时，加载要存储在被选页的下一页中的第二数据，并且在第一编程操作之后执行用于将加载的数据存储在下一页中的第二编程操作；以及存储器控制器，其被配置为在从第二编程操作开始时起的预定时间段内从存储器装置获得状态信息，状态信息包括指示第一编程操作是通过还是失败的第一失败信息以及指示第一失败信息是否是有效信息的有效性信息。

附图说明

图1是例示根据本公开的一个实施方式的存储器系统的图；

图2是例示图1所示的存储器装置的引脚配置的图；

图3是例示图1所示的存储器装置的结构的图；