[发明专利]一种MINI LED芯片修复方法及装置

权利要求书

1.一种MINI LED芯片修复方法，其特征在于，本方法包括：

S1、预设：

选取显示面板上一个MINI LED芯片作为基准芯片，确定测距仪、视觉相机、压嘴和点锡针的位置基准值，包括测距仪对于MINI LED芯片的基准高度d1、测距仪对于焊盘的基准高度d2、视觉相机对于MINI LED芯片的聚焦点高度ds1、视觉相机对于焊盘的聚焦点高度ds2、压嘴基准高度dy1、点锡针基准高度dx1；

S2、坏芯片定位：

粗定位：视觉相机抓拍MINI LED芯片所在显示面板的图像，通过显示面板特征点的位置，获取坏芯片上某点的第一粗略平面坐标；

精定位：依据所述第一粗略平面坐标，测距仪移动到所述坏芯片的正上方，测量出此时测距仪与坏芯片的距离dc1，根据dc1与d1的偏差，调整视觉相机的高度使得视距相机在所述ds1基础上进行相应的偏差调整，对坏芯片的特征点进行精准抓片定位，获得所述坏芯片上某点的第一精确平面坐标；

S3、坏芯片去除：

压嘴定位：根据所述第一精确平面坐标，确定压嘴工作的水平位置；将压嘴移动到所述坏芯片的正上方；根据S2中dc1与d1的偏差，调整压嘴的高度使得压嘴在所述dy1基础上调整相应的偏差；

加热融化锡膏并去除坏芯片，露出焊盘；

S4、锡针点膏：

粗定位：视觉相机抓拍MINI LED芯片所在显示面板的图像，通过平面位置已知的显示面板特征点，获得去除坏芯片后露出焊盘的某点的第二粗略平面坐标；

精定位：依据所述第二粗略平面坐标，测距仪移动到所述焊盘的正上方，测量出此时测距仪与所述焊盘的距离dc2，根据dc2和d2的偏差，调整视觉相机的高度使得视距相机在所述ds2基础上进行相应的偏差调整，对焊盘的特征点进行精准定位，获得焊盘的第二精确平面坐标；

点锡膏：根据所述第二精确平面坐标，确定点锡针工作的水平位置；将点锡针移动到所述焊盘的正上方，并根据所述dc2与d2的偏差，调整点锡针的高度使得点锡针在所述dx1基础上进行相应的偏差调整，控制点锡针在焊盘上点锡膏；

S5、新芯片焊接：

压嘴吸取新芯片，按照S4确定的第二精确定位平面坐标，以及S3中调整偏差后的压嘴高度绝对位置，移动压嘴将新芯片放在焊盘上，控制激光加热锡膏，将新芯片焊接在焊盘上。

2.根据权利要求1所述的MINI LED芯片修复方法，其特征在于，所述的S1具体为：选取显示面板上一个MINI LED芯片作为基准芯片；

粗定位：视觉相机抓拍基准芯片所在显示面板的图像，通过显示面板特征点的位置，获取基准芯片上某点的粗略平面坐标；

位置基准值的获取：

依据所述粗略平面坐标，将测距仪移动到基准芯片的正上方，测量出此时测距仪与基准芯片的距离，作为d1；同理，将视觉相机移动到所述基准芯片的正上方，进行手动聚焦，达到焦点位置时，视觉相机对于基准芯片的聚焦点高度作为ds1；压嘴移动到基准芯片上方后手动下降，使得压嘴刚好压在基准芯片上，此时压嘴高度方向的绝对位置作为dy1；

去除基准芯片后，露出焊盘，依据所述粗略平面坐标，将测距仪移动到焊盘的正上方，测出测距仪与焊盘的距离作为d2；同理，将视觉相机移动到焊盘的正上方，进行手动聚焦，达到焦点位置时，视觉相机对于焊盘的聚焦点高度作为ds2；点锡针移动到焊盘上方后手动下降，使得点锡针刚好碰到焊盘，此时点锡针高度方向的绝对位置为dx1。

3.根据权利要求1所述的MINI LED芯片修复方法，其特征在于，所述S3的加热去除坏芯片具体为：设置工艺参数，控制激光加热坏芯片使得锡膏融化，在融化的中途压嘴开始吸附坏芯片并去除。

4.根据权利要求3所述的MINI LED芯片修复方法，其特征在于，所述的工艺参数包括激光开启时间、压嘴开始吸附的时间、激光关闭时间、压嘴移动时间和距离。

5.根据权利要求1所述的MINI LED芯片修复方法，其特征在于，所述S5新芯片焊接时，激光加热使得锡膏全部融化。