[发明专利]一种套刻对准标记结构及相关方法和器件

权利要求书

1.一种套刻对准标记结构，其特征在于，包括：套刻区域，所述套刻区域包括：

位于基底一侧表面的实体参考标记，所述实体参考标记包括平行设置的多个第一延伸部；

以及，覆盖所述实体参考标记背离所述基底一侧的薄膜覆盖层，所述薄膜覆盖层背离所述基底一侧包括凹槽测量标记，所述凹槽测量标记包括平行设置的多个第二延伸部；

所述凹槽测量标记与所述实体参考标记之间具有至少一个交叠区域，且所述交叠区域裸露所述实体参考标记的至少一侧边；

其中，所述第一延伸部和所述第二延伸部的延伸方向相同，且所述第一延伸部和所述第二延伸部在所述延伸方向上一一对应设置；

与所述第一延伸部之间具有交叠区域的第二延伸部包括：条形状延伸部和辅助延伸部；在垂直所述延伸方向，所述辅助延伸部的宽度大于所述条形状延伸部的宽度，且所述辅助延伸部位于所述交叠区域处；

未与所述第一延伸部之间具有交叠区域的第二延伸部，与所述辅助延伸部在垂直所述延伸方向的方向上不交叠。

2.根据权利要求1所述的套刻对准标记结构，其特征在于，所述套刻对准标记结构包括：

呈两行及两列的阵列设置的四个套刻区域；

在所述两行及两列的阵列的行方向及列方向上，相邻两个所述套刻区域各自相应的延伸部的延伸方向相垂直；

在任意一套刻区域处且沿所述延伸方向，所述第二延伸部设置于靠近相邻的所述套刻区域一侧。

3.根据权利要求1所述的套刻对准标记结构，其特征在于，在所述第二延伸部与所述第一延伸部之间具有交叠区域时，

所述第一延伸部的端部与其相对的所述第二延伸部的端部之间具有所述交叠区域；

且在垂直所述延伸方向，所述第二延伸部的端部的宽度大于所述第一延伸部的端部的宽度，且所述交叠区域裸露所述第一延伸部的端部在所述延伸方向的侧边及垂直所述延伸方向的侧边。

4.根据权利要求1所述的套刻对准标记结构，其特征在于，所述第一延伸部及未与所述第一延伸部之间具有交叠区域的第二延伸部均为条形状延伸部。

5.一种套刻对准标记结构的制作方法，其特征在于，包括：

在基底一侧表面上形成实体参考标记；其中，所述实体参考标记包括平行设置的多个第一延伸部；

形成覆盖所述实体参考标记背离所述基底一侧的薄膜覆盖层；

对所述薄膜覆盖层背离所述基底一侧进行刻蚀形成凹槽测量标记；其中，所述凹槽测量标记包括平行设置的多个第二延伸部；所述凹槽测量标记与所述实体参考标记之间具有至少一个交叠区域，且所述交叠区域裸露所述实体参考标记的至少一侧边；其中，所述第一延伸部和所述第二延伸部的延伸方向相同，且所述第一延伸部和所述第二延伸部在所述延伸方向上一一对应设置；

与所述第一延伸部之间具有交叠区域的第二延伸部包括：条形状延伸部和辅助延伸部；在垂直所述延伸方向，所述辅助延伸部的宽度大于所述条形状延伸部的宽度，且所述辅助延伸部位于所述交叠区域处，未与所述第一延伸部之间具有交叠区域的第二延伸部，与所述辅助延伸部在垂直所述延伸方向的方向上不交叠。

6.一种套刻精度测量方法，其特征在于，应用于权利要求1-4任意一项所述的套刻对准标记结构，包括：

采用CDSEM测量机台获取所述实体参考标记和所述凹槽测量标记在交叠区域处的形貌；

计算在交叠区域裸露的所述实体参考标记的侧边与所述凹槽测量标记的预设侧边之间偏差数据，来确定所述套刻精度。

7.根据权利要求6所述的套刻精度测量方法，其特征在于，在采用CDSEM测量机台获取所述实体参考标记和所述凹槽测量标记在交叠区域处的形貌前还包括：

判断所述套刻对准标记结构是否能够采用IBO测量方式确定套刻精度，若否，则采用CDSEM测量机台获取所述实体参考标记和所述凹槽测量标记在交叠区域处的形貌。

8.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括权利要求1-4任意一项所述的套刻对准标记结构。