[发明专利]一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法

权利要求书

1.一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：

1)准备一类衬底；

2)首先在一类衬底上制备AlN种子层，再在AlN种子层上生长GaN剥离层；

3)在GaN剥离层上生长AlN前驱体，然后经高温高压热处理技术形成AlN缓冲层；

4)在AlN缓冲层上制备压电层；

5)将压电层键合至二类衬底上；采用激光剥离技术，将GaN剥离层、AlN种子层、一类衬底剥离，形成从上至下由AlN缓冲层、压电层、二类衬底构成的所述声波器件用压电薄膜模板。

2.根据权利要求1所述的一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法，其特征在于：步骤1）中，所述一类衬底，其材料选自Si、蓝宝石、碳化硅、金刚石或AlN。

3.根据权利要求1所述的一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法，其特征在于：步骤1）中，所述一类衬底为平片或表面做图形化处理。

4.根据权利要求1所述的一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法，其特征在于：步骤2）中，所述一类衬底上制备AlN种子层的厚度为5-100nm，AlN种子层上生长GaN剥离层的膜厚为50-5000nm。

5.根据权利要求1所述的一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法，其特征在于：步骤3）中，所述GaN剥离层上生长AlN前驱体的膜厚为20-1000nm。

6.根据权利要求1所述的一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法，其特征在于：步骤3）中，AlN前驱体经高温高压热处理技术形成AlN缓冲层，高温高压热处理的条件如下：通入高纯氮气，总气压为1-10atm，热处理温度为1000-1200℃。

7.根据权利要求1所述的一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法，其特征在于：步骤4）中，所述压电层包括为AlN或掺杂AlN。

8.根据权利要求7所述的一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法，其特征在于：掺杂AlN的掺杂元素包括Sc、Y、Er、Ta一种或几种元素组合。

9.根据权利要求1所述的一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法，其特征在于：步骤5）中，二类衬底的材料可以为硅、SiO₂薄膜、金属薄膜、化合物半导体薄膜中的任一种。