[发明专利]薄膜晶体管、电子装置及其制备方法及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

驱动电路层，包括叠设在一起的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层；所述第一金属层、第二金属层和所述第三金属层中的一者形成所述薄膜晶体管的栅极，所述第一金属层、第二金属层和所述第三金属层中的另外两者形成所述薄膜晶体管的源极和漏极；

栅极绝缘层，设置于所述驱动电路层的侧壁上；及

半导体层，设置于所述栅极绝缘层的背离所述驱动电路层的表面上；所述半导体层包括漏极掺杂区、源极掺杂区及沟道区，所述漏极掺杂区及所述源极掺杂区分别与所述第一金属层、第二金属层和所述第三金属层中的用于形成所述薄膜晶体管的漏极及源极的金属层电连接，所述沟道区与所述第一金属层、第二金属层和所述第三金属层中的形成所述薄膜晶体管的栅极的金属层相对。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二金属层为所述薄膜晶体管的栅极，所述第一金属层为所述薄膜晶体管的源极，所述第三金属层为所述薄膜晶体管的漏极；所述第二金属层位于所述第一金属层和所述第三金属层之间，所述沟道区位于所述漏极掺杂区和所述源极掺杂区之间，所述漏极掺杂区相对于所述驱动电路层水平设置于所述第三金属层上且与所述第三金属层电连接，所述源极掺杂区相对于所述驱动电路层水平设置于所述第一金属层上且与所述第一金属层电连接，所述沟道区形成在所述栅极绝缘层的背离所述驱动电路层的表面上。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极掺杂区与所述第一绝缘层位于所述第一金属层的同一表面上。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层和所述第三金属层中的用于形成所述薄膜晶体管的栅极的金属层位于所述第一金属层、第二金属层和所述第三金属层中的用于形成所述薄膜晶体管的源极和漏极的金属层的上方或下方；

所述栅极绝缘层上开设有过孔，所述过孔分别对应所述第一金属层、第二金属层和所述第三金属层中的用于形成所述薄膜晶体管的源极和漏极的金属层；

所述沟道区与所述第一金属层、第二金属层和所述第三金属层中的用于形成所述薄膜晶体管的栅极的金属层相对；

所述漏极掺杂区和所述源极掺杂区分别通过所述过孔与所述第一金属层、第二金属层和所述第三金属层中的用于形成所述薄膜晶体管的漏极和源极的金属层电连接。

5.如权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括基板，所述第一金属层、第二金属层和所述第三金属层中的其中一个形成在所述基板上。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括平坦层，所述平坦层形成在所述半导体层以及所述第一金属层、第二金属层和第三金属层中的形成在所述基板上的金属层的侧壁上。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的沟道区的材质为铟镓锌氧化物或铟镓锌氧化物/铟锌氧化物异质结结构。