[发明专利]一种磁屏蔽冷腔及其在超高精度光钟制造中的应用有效
申请号: | 202111349468.8 | 申请日: | 2021-11-15 |
公开(公告)号: | CN114047681B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 徐信业;金涛韫;谯皓;周敏 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
主分类号: | G04F5/14 | 分类号: | G04F5/14;H05K9/00 |
代理公司: | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人: | 夏思秋 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 屏蔽 及其 超高 精度 制造 中的 应用 | ||
1.一种磁屏蔽冷腔,其特征在于,所述磁屏蔽冷腔为空心圆柱体结构,圆柱体上下平面中间分别有一个通光孔,用以通过移动光晶格将原子移动至冷腔中进行钟探询;圆柱体侧面两侧沿母线方向对称地设置有两个凹槽;所述凹槽安装有温度探头测量冷腔温度;所述温度探头选自铂电阻温度计、热敏电阻、热电偶中的一种或几种;所述温度探头用EPOXY150超高真空兼容型环氧树脂紧密固定于凹槽中;所述温度探头为四线制高精度测量;
所述磁屏蔽冷腔选用低温高磁导率材料,所述低温是指10K量级的温度,所述高磁导率是指相对磁导率为104-105;所述低温高磁导率材料包括掺铜的铁镍合金、掺钼和铜的铁镍合金、掺锰和铜的铁镍合金;
所述磁屏蔽冷腔的冷源为脉冲管制冷机,采用一根热缓冲管。
2.如权利要求1所述的磁屏蔽冷腔,其特征在于,所述磁屏蔽冷腔内壁做涂层处理,所述涂层的辐射吸收率在贡献黑体辐射的波长处90%;所述贡献黑体辐射的波长为1-30μm。
3.如权利要求2所述的磁屏蔽冷腔,其特征在于,所述涂层处理为将内表面事先打磨清洗处理,然后使用热控电解法,化学镀膜或热喷涂法方法让内壁附上辐射吸收率90%的涂层。
4.如权利要求3所述的磁屏蔽冷腔,其特征在于,所述涂层材料为氧化铜、黑镍、黑铬或铝-氮材料。
5.如权利要求1所述的磁屏蔽冷腔,其特征在于,所述冷腔和脉冲管制冷机通过可传递温度的低温底座连接;所述低温底座中心有适配冷腔形状的开槽,所述冷腔和所述低温底座完全贴合,依靠重力和3个螺钉实现紧密接触,保证温度的良好传递性和均温性。
6.如权利要求1-5之任一项所述的磁屏蔽冷腔在冷原子钟跃迁探测时抑制和消除黑体辐射和外界磁场对钟跃迁不稳定度影响中的应用。
7.如权利要求1-5之任一项所述的磁屏蔽冷腔在超高精度光钟制造中的应用。
8.一种包含如权利要求1-5之任一项所述的磁屏蔽冷腔的超高精度光钟。
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