[发明专利]氮化物薄膜刻蚀液的再生方法和氮化物薄膜的刻蚀方法

权利要求书

1.一种氮化物薄膜刻蚀液的再生方法，其特征在于，所述再生方法包括将氮化物薄膜湿法刻蚀后产生的刻蚀液中的刻蚀产物铵根离子进行去除，以实现刻蚀液再生的步骤。

2.根据权利要求1所述的再生方法，其特征在于，去除铵根离子的方法包括如下方法中的若干种：

1)于使用后的刻蚀液中加入固体吸附剂吸附去除铵根离子；

2)于使用后的刻蚀液中加入水后加热去除铵根离子；

3)于使用后的刻蚀液中加入含低浓度的铵根离子的新鲜刻蚀液替换部分使用后的含高浓度的铵根离子的刻蚀液。

3.根据权利要求2所述的再生方法，其特征在于，于使用后的刻蚀液中加入的用于吸附去除铵根离子的固体吸附剂包括阳离子交换树脂、分子筛、氧化锆、氧化硅、螯合聚合物、表面改性的全氟聚合物、改性的聚丙烯及改性的聚醚砜中的若干种。

4.根据权利要求1所述的再生方法，其特征在于，所述氮化物薄膜包括氮化硅薄膜、氮化钛薄膜、氮化铝薄膜和氮化镓薄膜中的若干种。

5.根据权利要求1所述的再生方法，其特征在于，所述刻蚀液包括磷酸、氢氟酸和硝酸中的若干种。

6.一种氮化物薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括对氮化物薄膜进行湿法刻蚀的步骤以及采用如权利要求1-5任一项所述的再生方法将氮化物薄膜湿法刻蚀后产生的刻蚀液中的刻蚀产物铵根离子进行去除，以实现刻蚀液再生的步骤。

7.根据权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，对氮化物薄膜进行湿法刻蚀的过程中持续对使用后的刻蚀液进行在线再生。