[发明专利]阵列结构的裸片缝合和收获

权利要求书

1.一种芯片结构，所述芯片结构包括：

半导体基板；

图案化到所述半导体基板中的第一裸片的第一前道工序(FEOL)裸片区域，所述第一FEOL裸片区域包括第一器件区域和第一输入/输出区域；

跨越所述第一器件区域和所述第一输入/输出区域的后道工序(BEOL)堆积结构；以及

与所述第一输入/输出区域相邻的芯片边缘；

其中所述BEOL堆积结构包括裸片到裸片布线，所述裸片到裸片布线在所述芯片边缘处连接在所述第一输入/输出区域与裸片到裸片布线的端子端之间。

2.根据权利要求1所述的芯片结构，其中连接到所述裸片到裸片布线的所述第一输入/输出区域在关断状态下被隔离。

3.根据权利要求1所述的芯片结构，其中：

所述BEOL堆积结构还包括与所述第一输入/输出区域相邻的第一部分金属密封件；以及

所述裸片到裸片布线延伸穿过所述第一部分金属密封件中的第一开口。

4.根据权利要求1所述的芯片结构：

还包括被图案化到所述半导体基板中的第二裸片的第二FEOL裸片区域，所述第二FEOL裸片区域包括第二器件区域和第二输入/输出区域；

其中所述第一FEOL裸片区域包括第三输入/输出区域；以及

其中所述BEOL堆积结构跨越所述第二器件区域、所述第二输入/输出区域和所述第三输入/输出区域，并且所述BEOL堆积结构包括连接在所述第二输入/输出区域和所述第三输入/输出区域之间的第二裸片到裸片布线。

5.根据权利要求4所述的芯片结构，其中：

所述BEOL堆积结构还包括与所述第二输入/输出区域相邻的第二部分金属密封件和与所述第三输入/输出区域相邻的第三部分金属密封件；以及

所述第二裸片到裸片布线延伸穿过所述第二部分金属密封件中的第二开口并且穿过所述第三部分金属密封件中的第三开口。

6.根据权利要求1所述的芯片结构，其中所述半导体基板、所述第一FEOL裸片区域和BEOL堆积结构形成第一裸片级，所述芯片结构还包括混合键合到所述第一裸片级的第二裸片级，所述第二裸片级包括图案化到第二半导体基板中的第二裸片的第二FEOL裸片区域。

7.根据权利要求1所述的芯片结构，还包括：

与所述BEOL堆积结构混合键合的第二芯片；以及

横向围绕所述BEOL堆积结构上的所述第二芯片的封装材料。

8.一种多裸片结构，所述多裸片结构包括：

图案化到半导体基板中的第一裸片的第一前道工序(FEOL)裸片区域和图案化到所述半导体基板中的第二裸片的第二FEOL裸片区域，所述第二FEOL裸片区域与所述第一FEOL裸片区域分开；

其中所述第一FEOL裸片区域包括第一输入/输出区域，并且所述第二FEOL裸片区域包括第二输入/输出区域；

跨越所述第一FEOL裸片区域和所述第二FEOL裸片区域的后道工序(BEOL)堆积结构，所述BEOL堆积结构包括：

第一部分金属密封件，所述第一部分金属密封件与所述第一输入/输出区域相邻；

第二部分金属密封件，所述第二部分金属密封件与所述第二输入/输出区域相邻；以及

裸片到裸片布线，所述裸片到裸片布线连接所述第一输入/输出区域和所述第二输入/输出区域并且延伸穿过所述第一部分金属密封件中的第一开口和所述第二部分金属密封件中的第二开口。

9.根据权利要求8所述的多裸片结构，其中所述BEOL堆积结构还包括围绕所述第一FEOL裸片区域、所述第二FEOL裸片区域和所述裸片到裸片布线的金属密封环。

10.根据权利要求9所述的多裸片结构，其中所述第一裸片和所述第二裸片各自选自由图形处理单元(GPU)、中央处理单元(CPU)、神经引擎、人工智能(AI)引擎和信号处理器组成的组。