[发明专利]多层陶瓷电子组件

权利要求书

1.一种多层陶瓷电子组件，包括：

陶瓷主体，包括设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极以及介于所述第一内电极和所述第二内电极之间的介电层，

其中，当所述介电层的平均厚度表示为“td”，所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度表示为“te”，并且在内电极的预定区域中的多个点处测量的内电极的厚度的标准偏差表示为“σte”时，所述内电极的厚度的标准偏差与所述介电层的平均厚度的比表示为“σte/td”，“σte/td”满足0.12≤σte/td≤0.21，并且

其中，所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度为0.41μm或更小。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极彼此面对的方向被定义为厚度方向，且长度方向是与所述厚度方向垂直的方向，并且

其中，td和te分别是在所述陶瓷主体的在宽度方向上的中央部分切割的长度-厚度方向截面中的介电层的平均厚度以及第一内电极和第二内电极的平均厚度，所述宽度方向是与所述厚度方向和所述长度方向垂直的方向。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的平均厚度为0.4μm或更小。

4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极彼此面对的方向被定义为厚度方向，并且长度方向是与所述厚度方向垂直的方向，并且

其中，在所述陶瓷主体的长度-厚度方向截面中，在内电极的具有20μm×14μm的尺寸的预定区域的至少10个点测量用于σte的厚度，并且所述至少10个点的间隔为10nm或更小。

5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件还包括设置在所述陶瓷主体的外表面上的外电极。

6.根据权利要求5所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述外电极的平均厚度在10μm至50μm的范围内。

7.一种多层陶瓷电子组件，包括：

陶瓷主体，包括设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极以及介于所述第一内电极和所述第二内电极之间的介电层，

其中，当所述介电层的平均厚度表示为“td”，所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度表示为“te”，并且在内电极的预定区域中的多个点处测量的内电极的厚度的标准偏差表示为“σte”时，所述内电极的厚度的标准偏差与所述介电层的平均厚度的比表示为“σte/td”，“σte/td”满足0.12≤σte/td≤0.21，

所述第一内电极和所述第二内电极彼此面对的方向被定义为厚度方向，并且长度方向是与所述厚度方向垂直的方向，并且

其中，在所述陶瓷主体的长度-厚度方向截面中，在内电极的具有20μm×14μm的尺寸的预定区域的至少10个点测量用于σte的厚度，并且所述至少10个点的间隔为10nm或更小。

8.根据权利要求7所述的多层陶瓷电子组件，其中，td和te分别是在所述陶瓷主体的在宽度方向上的中央部分切割的长度-厚度方向截面中的介电层的平均厚度以及第一内电极和第二内电极的平均厚度，所述宽度方向是与所述厚度方向和所述长度方向垂直的方向。

9.根据权利要求7所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的平均厚度为0.4μm或更小，并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度为0.41μm或更小。

10.根据权利要求7所述的多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件还包括设置在所述陶瓷主体的外表面上的外电极。

11.根据权利要求7所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述外电极的平均厚度在10μm至50μm的范围内。