[发明专利]一种制备单面氧化超薄硅片的装置及方法

权利要求书

1.一种制备单面氧化超薄硅片的装置，其特征在于，包括：第一基板、第二基板和密封件，所述第二基板设有镂空部分，所述第一基板与第二基板可互相连接与拆卸；

待减薄的硅片的两面通过密封件固定于第一基板与第二基板之间，所述待减薄的硅片需保留氧化层的一面朝向金属基板，所述待减薄的硅片待除去氧化层的表面暴露于所述镂空部分。

2.根据权利要求1所述的一种制备单面氧化超薄硅片的装置，其特征在于，所述第一基板、第二基板均为金属材质，所述金属材质包括不锈钢、铁、铜的一种。

3.根据权利要求1所述的一种制备单面氧化超薄硅片的装置，其特征在于，所述密封件为高分子密封垫片，所述高分子密封垫片的材质包括硅橡胶、PDMS、聚丙烯的一种。

4.根据权利要求1所述的一种制备单面氧化超薄硅片的装置，其特征在于，所述第一基板的外形为圆形薄板，所述第二基板的外形为圆环形薄板，所述密封件的外形为圆环形薄板。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种制备单面氧化超薄硅片的装置，其特征在于，所述第一基板、第二基板均开设有螺纹孔，所述第一基板与第二基板通过螺丝连接与拆卸。

6.一种利用权利要求1-5任一项所述的装置来制备单面氧化超薄硅片的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：在第一基板上放置一密封件，并将待减薄的硅片放置在密封件上，所述待减薄的硅片需要保留氧化层的一面朝向第一基板，随后在待减薄的硅片上方依次放置一密封件、第二基板，将第一基板、第二基板固定连接；

步骤S2：用腐蚀液去除硅片暴露于镂空部分的表面氧化层，然后将整个装置放入加热的强碱溶液中预设时间进行刻蚀；

步骤S3：将刻蚀好的硅片从强碱溶液捞出，并对刻蚀后的表面在去离子水中清洗干净，待干燥后将第一基板、第二基板拆开，得到单面氧化的超薄硅片。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述腐蚀液为5％浓度的氢氟酸溶液。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述强碱溶液为50％浓度的氢氧化钾溶液。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述强碱溶液的温度为90摄氏度。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述待减薄的硅片为双面抛光、双面氧化的硅片。