[发明专利]一种硅基液晶基板液晶封装结构及方法

权利要求书

1.一种硅基液晶基板液晶封装结构，其特征在于，包括硅基CMOS基板、玻璃盖板，在所述硅基CMOS基板上涂布封闭的环形封框胶，在所述环形封框胶与像素区之间的区域制备环形挡墙，所述环形挡墙的高度低于所述环形封框胶的厚度，所述环形挡墙的宽度小于所述环形封框胶与像素区之间的间隔距离，采用ODF工艺滴下液晶后，所述硅基CMOS基板和玻璃盖板贴合时，所述环形挡墙用于阻断液晶快速扩散造成与未固化的所述环形封框胶提前接触，避免冲击问题。

2.根据权利要求1所述的硅基液晶基板液晶封装结构，其特征在于，所述环形挡墙为封闭式环形挡墙，所述环形挡墙的高度低于封装设计盒厚和实际盒厚，所述环形挡墙的高度H_挡墙＝设计盒厚-δ_d，其中，当所述环形挡墙的材质为光刻胶时，δ_d为0.45～0.5μm。

3.根据权利要求1所述的硅基液晶基板液晶封装结构，其特征在于，所述环形挡墙为断点结构式环形挡墙，断点的分布和断点处的宽度可设计，所述环形挡墙的高度低于封装设计盒厚和实际盒厚，所述挡墙的高度H_挡墙＝设计盒厚-δ_d，其中，当所述环形挡墙的材质为光刻胶时，δ_d为0.45～0.5μm。

4.根据权利要求1所述的硅基液晶基板液晶封装结构，其特征在于，所述环形挡墙为点画线结构式环形挡墙，所述环形挡墙的高度低于封装设计盒厚和实际盒厚，所述挡墙的高度H_挡墙＝设计盒厚-δ_d，其中，当所述环形挡墙的材质为光刻胶时，δ_d为0.35～0.4μm。

5.根据权利要求4所述的硅基液晶基板液晶封装结构，其特征在于，点画线结构式环形挡墙中，点为圆柱形，圆柱形底面直径为所述环形挡墙的宽度；或者，点为底面为正方形的长方体，正方形的边长为所述环形挡墙的宽度。

6.根据权利要求1所述的硅基液晶基板液晶封装结构，其特征在于，所述环形挡墙为圆柱环形阵列式挡墙，或底面为正方形的长方体环形阵列式挡墙；所述环形挡墙的高度低于封装设计盒厚和实际盒厚，所述挡墙的高度H_挡墙＝设计盒厚-δ_d，其中，当所述环形挡墙的材质为光刻胶时，δ_d为0.15～0.25μm。

7.根据权利要求6所述的硅基液晶基板液晶封装结构，其特征在于，所述环形挡墙为圆柱环形阵列式挡墙，单元圆柱的底面直径为所述环形挡墙的宽度，两个单元圆柱之间的距离、单元圆柱的底面直径根据像素尺寸确定。

8.根据权利要求6所述的硅基液晶基板液晶封装结构，其特征在于，所述环形挡墙为底面为正方形的长方体环形阵列式挡墙，单元长方体的正方形底面边长为所述环形挡墙的宽度，两个单元长方体之间的距离、单元长方体的正方形底面边长根据像素尺寸确定。

9.根据权利要求1所述的硅基液晶基板液晶封装结构，其特征在于，所述环形挡墙的材质为光刻胶，或无机物材料；其中，所述无机物材料选自氮化硅或氧化硅。

10.一种权利要求1-9任意一项所述的硅基液晶基板液晶封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：根据所述环形封框胶的设计尺寸、涂布位置精度和线宽精度、所述环形封框胶与像素区之间的间隔距离，设计所述环形挡墙的结构及尺寸；

S2：选择所述环形挡墙的材质，根据材质选择确定制备工艺后，在所述硅基CMOS基板上制备所述环形挡墙；

S3：之后进入液晶封装工艺制程，包括配向膜涂布、环形封框胶涂布、ODF滴入液晶、所述硅基CMOS基板和玻璃盖板贴合，之后抽真空、固化处理，完成封装。