[发明专利]一种晶圆光刻方法在审
| 申请号： | 202111356271.7 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN114171375A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 徐晓飞 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/66;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 甄丹凤 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 圆光 方法 | ||
1.一种晶圆光刻方法，其特征在于，包括：
对晶圆的背面进行扫描，获取晶圆背面的灰阶值；
将晶圆背面的灰阶值与预设范围进行对比；
其中，对灰阶值处于预设范围的晶圆执行曝光步骤。
2.根据权利要求1所述的晶圆光刻方法，其特征在于，
对灰阶值不在预设范围的晶圆执行清洗步骤；
清洗之后的晶圆的背面进行扫描，获取晶圆背面的灰阶值；
将晶圆背面的灰阶值与预设范围进行对比；
其中，对灰阶值处于预设范围的晶圆执行曝光步骤，灰阶值不在预设范围的晶圆进行返工。
3.根据权利要求1所述的晶圆光刻方法，其特征在于，
对灰阶值大于预设范围最大值的晶圆执行清洗步骤；
清洗之后的晶圆的背面进行扫描，获取晶圆背面的灰阶值；
将晶圆背面的灰阶值与预设范围进行对比；
其中，对灰阶值处于预设范围的晶圆执行曝光步骤，灰阶值不在预设范围的晶圆进行再次清洗。
4.根据权利要求3所述的晶圆光刻方法，其特征在于，对于灰阶值小于预设范围最小值的晶圆进行返工。
5.根据权利要求1所述的晶圆光刻方法，其特征在于，对晶圆的背面进行分区域扫描。
6.根据权利要求5所述的晶圆光刻方法，其特征在于，
将晶圆的背面分成多个区域，对每个区域进行扫描，以获取每个区域的灰阶值；
将每个区域的灰阶值分别与灰阶值的预设范围进行比较。
7.一种晶圆光刻系统，其特征在于，包括：
表面检测装置，对晶圆的背面进行扫描，获取晶圆背面的灰阶值，并将晶圆背面的灰阶值与预设范围进行对比；
曝光装置，对灰阶值处于预设范围的晶圆进行曝光。
8.根据权利要求7所述的晶圆光刻系统，其特征在于，所述表面检测装置包括：
扫描组件，所述扫描组件包括相机以及与所述相机匹配的感测器，用于获取晶圆背面的图像；
控制组件，接收所述扫描组件的图像、获取晶圆背面的灰阶值并将晶圆背面的灰阶值与预设范围进行对比。
9.根据权利要求8所述的晶圆光刻系统，其特征在于，所述表面检测装置还包括照明组件。
10.根据权利要求7所述的晶圆光刻系统，其特征在于，所述晶圆光刻系统还包括清洗装置，用于对晶圆进行清洗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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