[发明专利]一种光学路径可控高导热、低电阻的VCSEL制作方法及VCSEL

说明书

本发明涉及一种光学路径可控高导热、低电阻的VCSEL制作方法及VCSEL，其中该方法包括以下步骤：将MQW层上方的主要DBRAl_xiGa_1‑xiAs/Al_yGa_1‑yAs(xiy，0≤y≤1，且xi由上至下逐渐变大)中高Al％组分Al_xiGa_1‑xiAs的部分进行完全氧化，使其转变成Al₂O₃，在所需的光学路径上形成Al_xiGa_1‑xiAs/Al_yGa_1‑yAs DBR堆叠结构并使所述Al_xiGa_1‑xiAs/Al_yGa_1‑yAs DBR堆叠结构从上至下逐渐变窄，同时通过控制较临近MQW的低Al％组分Al_zGa_1‑zAs的氧化速率，继而控制中心未被氧化的Al_zGa_1‑zAs电流孔径的大小，其中Al％组分满足zxiy；将外围部分完全氧化所形成的Al₂O₃以化学刻蚀方式去除，保留光学路径的Al_xiGa_1‑xiAs/Al_yGa_1‑yAs DBR堆叠结构；去除外围部分的Al₂O₃所形成的空间以原子层沉积、溅镀、蒸镀及电镀中的一种或多种组合方式填充欧姆金属，以形成低电阻的电学导通路径。

技术领域

本发明涉及VCSEL技术领域，尤其涉及一种光学路径可控高导热、低电阻的VCSEL制作方法及VCSEL。

背景技术

现有的谐振腔反射镜是由Al_xGa_1-xAs/Al_yGa_1-yAs以外延方式堆叠而成。由于其折射率差异小，导致需要比较多对Al_xGa_1-xAs/Al_yGa_1-yAs堆叠以达到接近99％的反射率。电流局限由氧化工艺将AlGaAs转化成Al₂O₃，外围被氧化的形成电流局限层，没被氧化的形成电流通道。整体的电流通道较小、且AlGaAs本身就是比较难掺杂的半导体材料，相较于金属而言电阻较高。

发明内容

鉴于上述状况，有必要提出一种光学路径可控、高导热、低电阻的VCSEL制作方法及VCSEL。