[发明专利]一种厚度方向高导热的石墨膜及其制备方法在审
申请号: | 202111358217.6 | 申请日: | 2021-11-16 |
公开(公告)号: | CN113939167A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 吴伯丽;李金明 | 申请(专利权)人: | 江西柔顺科技有限公司 |
主分类号: | H05K7/20 | 分类号: | H05K7/20 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 张艳美;侯柏龙 |
地址: | 341699 江西省赣州*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 厚度 方向 导热 石墨 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种厚度方向高导热的石墨膜,包括:石墨膜本体,在所述石墨膜本体沿厚度方向开设若干贯通部,所述贯通部内填充散热部。本发明的石墨膜在石墨膜本体沿厚度方向上开设若干贯通部,贯通部内填充散热部,因此,在厚度方向(即Z轴方向)的热量能够经散热部快速地传导出去,使得该石墨膜在厚度方向(即Z轴方向)具有良好的热传导率及散热性能,同时不会降低水平方向(即X轴和Y轴方向)的热传导率。本发明还提供一种上述石墨膜的制备方法。
技术领域
本发明涉及导热材料技术领域,更具体地涉及一种厚度方向高导热的石墨膜及其制备方法。
背景技术
目前,一般现有的石墨散热片的制造方法,其先将PI(Polyimide)膜(聚酰亚胺膜)送入一碳化炉中,以1100℃-1300℃的加热温度,对该PI膜进行加热碳化,令该PI膜碳化后形成PI碳化片;接着,再将该PI碳化片冷却,冷却至室温后,再将该PI碳化片送入石墨化炉中,以2800℃-3000℃的加热温度,对该PI碳化片进行加热石墨化,使该PI碳化片石墨化后形成PI石墨散热片;之后,再将该PI石墨散热片冷却,冷却至室温后,以一压延装置压延其厚度,使该PI石墨散热片经压延后,形成厚度15-30μm得石墨散热片成品,也称人造石墨膜。
该石墨散热片的制造方法制造的人造石墨散热片,在水平方向(即X轴和Y轴方向)的热传导率可高达1600W/(m·k),但厚度方向(即Z轴方向)的热传导率低于5W/(m·k),严重偏低。
随着通讯和新能源行业的发展,尤其是5G技术、自动驾驶及电动车的日益盛行,随着电子产品功率不断增加,产品越做越薄,电子仪器及设备朝轻、薄、短、小、复合式等发面发展。在高频工作频率下,电子元件产生的热量迅速积累、增加,日益显现出热量无法及时发散的技术问题。在该情形下,提高人造石墨散热片厚度方向(即Z轴方向)的热传导率势在必行。
因此,有必要提供一种厚度方向高导热的石墨膜以解决上述现有技术的不足。
发明内容
为了克服现有技术的缺陷,本发明的目的是提供一种厚度方向高导热的石墨膜,该石墨膜在厚度方向(即Z轴方向)具有优良的热传导率,同时不会降低水平方向(即X轴和Y轴方向)的热传导率。
为了实现上述目的,本发明公开了一种厚度方向高导热的石墨膜,包括:
石墨膜本体,在所述石墨膜本体沿厚度方向开设若干贯通部,所述贯通部内填充散热部。
与现有技术相比,本申请的厚度方向高导热的石墨膜,在石墨膜本体沿厚度方向开设若干贯通部,贯通部内填充散热部,因此,在厚度方向(即Z轴方向)的热量能够经散热部快速地传导出去,使得该石墨膜在厚度方向(即Z轴方向)具有良好的热传导率及散热性能,同时不会降低水平方向(即X轴和Y轴方向)的热传导率。
较佳地,所述石墨膜本体的至少一侧贴合设有承载保护层。
较佳地,所述承载保护层包括PET保护膜及位于所述PET保护膜与所述石墨膜本体之间的硅胶层。硅胶层的设置既能够保证石墨膜本体不掉粉,还能实现与外物的贴合。
较佳地,所述PET保护膜的厚度为50-100μm。
较佳地,所述石墨膜本体的厚度为5-200μm。
较佳地,所述贯通部的形状呈圆形、方形和三角形中的一种。
较佳地,所述贯通部呈圆形且直径为0.2-1μm。
较佳地,所述散热部选自铜材质、不锈钢材质、导热陶瓷、导热胶中的至少一种。
相应地,本发明还提供一种厚度方向高导热的石墨膜的制备方法,包括步骤:
(1)在石墨膜本体沿厚度方向开设若干贯通部,
(2)所述贯通部内填充散热部。
附图说明
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