[发明专利]激光转移膜

权利要求书

1.一种激光转移膜依次包括：

基材层；

热膨胀性光吸收层；以及

粘着层；

其中，在所述基材层和所述热膨胀性光吸收层之间包括有机缓冲层，

所述有机缓冲层具有0.1W/mK至0.3W/mK的热导率。

2.根据权利要求1所述的激光转移膜，其中，

所述基材层为玻璃。

3.根据权利要求1所述的激光转移膜，其中，

所述有机缓冲层的厚度为0.1μm至50μm。

4.根据权利要求1所述的激光转移膜，其中，

所述有机缓冲层包括酯基聚合物、丙烯酸基聚合物、烯烃基聚合物或其组合。

5.根据权利要求1所述的激光转移膜，其中，

所述基材层和所述有机缓冲层为单片结构。

6.根据权利要求1所述的激光转移膜，其中，

所述基材层和所述有机缓冲层的总厚度为10μm至2000μm。

7.根据权利要求1所述的激光转移膜，其中，

所述热膨胀性光吸收层的厚度为0.1μm至20μm。

8.根据权利要求1所述的激光转移膜，其中，

所述热膨胀性光吸收层包括光吸收剂和粘结剂。

9.根据权利要求8所述的激光转移膜，其中，

所述光吸收剂包括其中最大吸收波长为780nm至1,500nm的近红外线吸收染料、金属颗粒或其组合。

10.根据权利要求8所述的激光转移膜，其中，

基于100重量份的所述热膨胀性光吸收层，所述光吸收剂的含量为1重量份至15重量份。

11.根据权利要求1所述的激光转移膜，其中，

所述粘着层的厚度为1μm至30μm。

12.根据权利要求1所述的激光转移膜，其中，

所述粘着层的粘着力为0.5gf/in至500gf/in。

13.根据权利要求1所述的激光转移膜，进一步包括：

转移体，其粘附在所述粘着层的表面上。

14.根据权利要求13所述的激光转移膜，其中，

所述转移体包括半导体芯片。