[发明专利]半导体超结功率器件在审
| 申请号： | 202111359631.9 | 申请日： | 2021-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN116137282A | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;刘磊;袁愿林;王睿 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 岳晓萍 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 | ||
【权利要求书】：
1.半导体超结功率器件，其特征在于，包括终端区和元胞区，所述元胞区包括：
n型漏区、n型漂移区和多个p型柱，所述多个p型柱中的每个p型柱的宽度相等，且相邻的两个所述p型柱之间的间距相等；
所述多个p型柱中的每个所述p型柱的顶部分别设有与所述p型柱一一对应的p型体区，所述p型体区内设有n型源区，所述p型体区的宽度均相等；
介于相邻两个所述p型体区之间的两个栅沟槽，所述栅沟槽的宽度均相等，所述栅沟槽内设有栅介质层和栅极；
至少有部分p型体区的对称轴线与其对应的p型柱的对称轴线产生偏移，使得相邻两个所述p型体区之间的两个栅沟槽之间的间距具有至少两种不同的间距值。
2.根据权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，相邻两个所述p型体区之间的两个栅沟槽之间的间距值依次设为：C、C+1D、C、C+1D、C、…；或者依次设为：C、C+1D、…、C+nD、C+(n-1)D、…、C、C+1D、…、C+nD、C+(n-1)D、…、C、…；或者依次设为：C、C、…、C+1D、C+1D、…、C+nD、C+nD、…、C+(n-1)D、C+(n-1)D、…、C、C、…，其中：n≥2且n为整数，C为相邻两个所述p型体区之间的两个栅沟槽之间的间距的基本间距值且C0；D为相邻两个所述p型体区之间的两个栅沟槽之间的间距的变化的值且D0。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州东微半导体股份有限公司，未经苏州东微半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111359631.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种漏油检测的方法、装置、计算机设备和介质
- 下一篇：半导体超结功率器件
- 同类专利
- 专利分类
