[发明专利]一种高谐振比率的双阻带频率选择表面结构及单元结构在审
| 申请号： | 202111361378.0 | 申请日： | 2021-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN114171925A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 李毅 | 申请（专利权）人： | 西安旭彤电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 西安亿诺专利代理有限公司 61220 | 代理人： | 李永刚 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 谐振 比率 双阻带 频率 选择 表面 结构 单元 | ||
1.一种高谐振比率的双阻带频率选择表面单元结构，其特征在于：包括自上而下依次设置的金属层(1)和介质基板(2)；所述金属层(1)上设置有方环形贴片(11)和菱环组合形贴片(12)；所述菱环组合形贴片(12)的中心与所述金属层(1)的中心重合；所述菱环组合形贴片(12)由菱环形贴片(121)通过围绕结构中心依次旋转45°组合设置而成；所述方环形贴片(11)环绕于菱环组合形贴片(21)四周设置。
2.根据权利要求1所述高谐振比率的双阻带频率选择表面单元结构，其特征在于：所述方环形贴片(11)和菱环组合形贴片(12)既是轴对称结构也是中心对称结构。
3.根据权利要求1所述高谐振比率的双阻带频率选择表面单元结构，其特征在于：所述菱环组合形贴片(12)包括八个菱环形贴片(121)。
4.根据权利要求1所述高谐振比率的双阻带频率选择表面单元结构，其特征在于：所述介质基板(2)为方形结构。
5.根据权利要求1所述高谐振比率的双阻带频率选择表面单元结构，其特征在于：所述金属层(1)与介质基板(2)中心重合。
6.根据权利要求1所述高谐振比率的双阻带频率选择表面单元结构，其特征在于：所述介质基板(2)由耐燃材料制成；所述金属层(1)由金属制成；所述金属包括铜或铝或金。
7.根据权利要求1所述高谐振比率的双阻带频率选择表面单元结构，其特征在于：所述金属层(1)的外围尺寸为7.9mm*7.9mm；所述介质基板(2)的尺寸为8mm*8mm。
8.一种高谐振比率的双阻带频率选择表面结构，其特征在于：包括M×N个周期性排布的如权利要求1至7中任一项所述的频率选择表面单元结构，其中，M和N为大于等于1的整数。
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