[发明专利]一种玻璃及其制备方法和电子设备壳体

权利要求书

1.一种玻璃，其特征在于，包括玻璃基材，所述玻璃基材的一侧表面具有间隔分布的多个第一凸起，相邻的两个第一凸起之间通过第一凹部连接，且所述第一凸起的表面具有紧密排布的多个第一次级结构，所述第一次级结构为凸起状，所述第一次级结构的高度和最大横截面宽度均小于所述第一凸起。

2.如权利要求1所述的玻璃，其特征在于，所述第一凸起的最大横截面宽度在80-175μm的范围内；相邻两个所述第一凸起之间的间隔在50-180μm的范围内；所述第一凸起的高度在15μm-50μm的范围内。

3.如权利要求1或2所述的玻璃，其特征在于，所述第一凹部的表面具有紧密排布的多个第二次级结构，所述第二次级结构为凸起状；其中，所述第二次级结构的外周轮廓线为光滑曲线。

4.如权利要求3所述的玻璃，其特征在于，自所述玻璃基材向所述第一凸起的厚度方向，所述第一次级结构和第二次级结构的横截面宽度逐渐减小。

5.如权利要求4所述的玻璃，其特征在于，所述第一次级结构的外周轮廓线为光滑曲线。

6.如权利要求5所述的玻璃，其特征在于，所述第一次级结构和所述第二次级结构的最大横截面宽度均在5-16μm的范围内，高度均在1-5μm的范围内。

7.如权利要求5所述的玻璃，其特征在于，所述第一次级结构和所述第二次级结构的最大横截面宽度均在8-40μm的范围内，高度均在2-15μm的范围内。

8.如权利要求4所述的玻璃，其特征在于，所述第一次级结构包括尖状凸起。

9.如权利要求8所述的玻璃，其特征在于，所述尖状凸起的最大横截面宽度在2-10μm的范围内；所述尖状凸起的高度在2-20μm的范围内；

所述第二次级结构的最大横截面宽度在8-40μm的范围内；所述第二次级结构的高度在2-15μm的范围内。

10.一种玻璃的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在玻璃基材的第一表面形成间隔分布的多个光阻图案；其中，所述光阻图案的宽度为80-180μm，间隔为40-180μm；

采用含氢氟酸和硫酸的蚀刻液对所述玻璃基材形成有所述光阻图案的表面进行蚀刻，以在未被所述光阻图案覆盖的玻璃基材表面蚀刻形成第一凹部，之后去除所述光阻图案，在相邻的所述第一凹部之间形成第一凸起；

通过第一方式或第二方式使所述第一凸起的表面形成紧密排布的多个第一次级结构及使所述第一凹部的表面形成紧密排布的多个第二次级结构，且所述第一次级结构和第二次级结构的高度和最大横截面宽度均小于所述第一凸起；其中，所述第一方式包括对所述玻璃基材形成有所述第一凸起的一侧表面采用蒙砂液进行蒙砂处理，且在所述喷砂处理之前，还在所述玻璃基材背离所述第一表面的第二表面上形成耐酸保护层，在所述喷砂处理之后，去除所述耐酸保护层；所述第二方式包括对所述玻璃基材形成有所述第一凸起的一侧表面先进行喷砂处理再采用含氢氟酸和硫酸的蚀刻液进行二次蚀刻。

11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述蒙砂液包括如下质量百分含量的各组分：氟化氢铵25-40wt％，氟硅化铵10-15wt％，柠檬酸20-40wt％，磷酸5-10wt％，硫酸钡1.5-3wt％，碱金属氟化物1.5-3wt％，聚乙二醇1-3wt％，十二烷基磺酸钠0.1-0.3wt％，以及水15-25wt％。

12.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述蚀刻液包括如下质量百分含量的各组分：氢氟酸20-40wt％，硫酸5-15wt％和水45-75wt％。

13.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第一凹部时的蚀刻深度为15μm-50μm。