[发明专利]太阳能电池单元的制造方法和太阳能电池单元

权利要求书

1.一种太阳能电池单元的制造方法，包括：

提供硅基体(4)，所述硅基体(4)包括彼此相对的第一表面和第二表面；

对所述硅基体(4)的所述第一表面和所述第二表面进行表面处理；

在对所述硅基体(4)进行表面处理之后，将所述硅基体(4)放置在第一温度下含有掺杂原子的扩散源中以通过使所述掺杂原子向所述硅基体(4)的所述第一表面和所述第二表面扩散而分别在所述第一表面和所述第二表面上形成第一掺杂硅层(1)和第二掺杂硅层，然后以一降温速率使所述硅基体(4)降温以对所述硅基体(4)进行吸杂；以及

在所述第一掺杂硅层(1)的背向所述硅基体(4)的表面上形成钝化层(2)。

2.根据权利要求1所述的制造方法，还包括：

形成第一金属接触电极(3)，其穿过所述钝化层(2)与所述第一掺杂硅层(1)直接接触。

3.根据权利要求1所述的制造方法，还包括：

移除所述硅基体(4)的所述第二表面上的所述第二掺杂硅层；

在移除了所述第二掺杂硅层之后，在所述硅基体(4)的所述第二表面上形成本征硅层(5)；

在所述本征硅层(5)的背向所述硅基体(4)的表面上形成第三掺杂硅层(6)；

在所述第三掺杂硅层(6)的背向所述本征硅层(5)的表面上形成透明导电层(7)；以及

在所述透明导电层(7)的背向所述第三掺杂硅层(6)的表面上形成第二金属接触电极(8)，

其中，所述第一掺杂硅层(1)和所述第二掺杂硅层的掺杂类型为n型和p型中的一个，所述第三掺杂硅层(6)的掺杂类型为n型和p型中的另一个。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的制造方法，其中，

所述第一温度在800-1000℃的范围内。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的制造方法，其中，

所述降温速率在0.01-20℃/min的范围内，优选地在1-10℃/min的范围内。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的制造方法，其中，

在将所述硅基体(4)放置在所述第一温度下含有掺杂原子的扩散源中之后，使所述硅基体(4)从所述第一温度降温到第二温度，然后以所述降温速率使所述硅基体(4)从所述第二温度降温到所述第三温度以对所述硅基体(4)进行吸杂。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，

所述第二温度低于所述第一温度，所述第二温度在750-900℃的范围内。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其中，

所述第三温度低于所述第二温度，所述第三温度在450-650℃的范围内。

9.一种太阳能电池单元，

其通过根据权利要求1-8中任一项所述的方法制造。

10.一种太阳能电池单元，包括：

硅基体(4)，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；

第一掺杂硅层(1)，其设置在所述硅基体(4)的所述第一表面上；

钝化层(2)，其设置在所述第一掺杂硅层(1)的背向所述硅基体(4)的表面上；

第一金属接触电极(3)，其穿过所述钝化层(2)与所述第一掺杂硅层(1)直接接触；

本征硅层(5)，其设置在所述硅基体(4)的所述第二表面上；

第三掺杂硅层(6)，其设置在所述本征硅层(5)的背向所述硅基体(4)的表面上；

透明导电层(7)，其设置在所述第三掺杂硅层(6)的背向所述本征硅层(5)的表面上；以及

第二金属接触电极(8)，其设置在所述透明导电层(7)的背向所述第三掺杂硅层(6)的表面上，

其中，所述第一掺杂硅层(1)的掺杂类型为n型和p型中的一个，所述第三掺杂硅层(6)的掺杂类型为n型和p型中的另一个。