[发明专利]晶圆键合方法及晶圆键合装置在审
申请号: | 202111363085.6 | 申请日: | 2021-11-17 |
公开(公告)号: | CN114121687A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 刘武;冯皓;袁绅豪 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 陈丽丽 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆键合 方法 装置 | ||
1.一种晶圆键合方法,其特征在于,包括如下步骤:
获取第一晶圆与第二晶圆之间的形变差异,所述第一晶圆的形变大于所述第二晶圆的形变;
以所述第一晶圆与所述第二晶圆相对的方式分别吸附所述第一晶圆和所述第二晶圆,并根据所述形变差异调整吸附所述第二晶圆的吸附力;
施加外力于所述第一晶圆,以键合所述第一晶圆和所述第二晶圆。
2.根据权利要求1所述的晶圆键合方法,其特征在于,所述形变差异为弯曲度差异;获取第一晶圆与第二晶圆之间的形变差异的具体步骤包括:
获取第一晶圆的第一弯曲度、以及第二晶圆的第二弯曲度;
根据所述第一弯曲度和所述第二弯曲度获取所述第一晶圆与所述第二晶圆之间的弯曲度差异。
3.根据权利要求2所述的晶圆键合方法,其特征在于,以所述第一晶圆与所述第二晶圆相对的方式分别吸附所述第一晶圆和所述第二晶圆,并根据所述形变差异调整吸附所述第二晶圆的吸附力的具体步骤包括:
吸附所述第一晶圆于第一卡盘、并以所述第二晶圆朝向所述第一晶圆的方式吸附所述第二晶圆于第二卡盘;
根据所述弯曲度差异调整所述第二卡盘吸附所述第二晶圆的所述吸附力。
4.根据权利要求3所述的晶圆键合方法,其特征在于,根据所述弯曲度差异异调整所述第二卡盘吸附所述第二晶圆的所述吸附力的具体步骤包括:
根据所述弯曲度差异调整所述第二卡盘吸附所述第二晶圆的真空度。
5.根据权利要求4所述的晶圆键合方法,其特征在于,根据所述弯曲度差异异调整所述第二卡盘吸附所述第二晶圆的真空度的具体步骤包括:
建立一映射关系表,所述映射关系表中包括多个预设弯曲度、以及与多个所述预设弯曲度分别对应的多个预设真空度;
自所述映射关系表中选择与所述弯曲度差异匹配的所述预设真空度,作为目标真空度;
控制所述第二卡盘采用所述目标真空度吸附所述第二晶圆。
6.根据权利要求5所述的晶圆键合方法,其特征在于,建立一映射关系表的具体步骤包括:
以第一测试晶圆与第二测试晶圆之间的弯曲度差异作为一预设弯曲度差异;
以所述第一测试晶圆与所述第二测试晶圆相对的方式分别吸附所述第一测试晶圆和所述第二测试晶圆;
根据所述预设弯曲度差异调整所述第二卡盘吸附所述第二测试晶圆的真空度至第一测试真空度;
判断所述第一测试晶圆与所述第二测试晶圆是否对准,若否,则调整所述第一测试真空度,直至所述第一测试晶圆与所述第二测试晶圆对准,并以对准时的所述第一测试真空度作为与所述预设弯曲度差异对应的预设真空度。
7.根据权利要求4所述的晶圆键合方法,其特征在于,根据所述弯曲度差异调整所述第二卡盘吸附所述第二晶圆的真空度的具体步骤包括:
根据所述弯曲度差异调整所述第二卡盘吸附所述第二晶圆的真空度至第二测试真空度;
判断所述第一晶圆与所述第二晶圆是否对准,若否,则调整所述第二测试真空度,直至所述第一晶圆与所述第二晶圆对准。
8.根据权利要求3所述的晶圆键合方法,其特征在于,以所述第一晶圆与所述第二晶圆相对的方式分别吸附所述第一晶圆和所述第二晶圆,并根据所述形变差异调整吸附所述第二晶圆的吸附力的具体步骤包括:
以所述第一晶圆与所述第二晶圆相对的方式分别吸附所述第一晶圆和所述第二晶圆,并根据所述形变差异同时调整吸附所述第二晶圆的吸附力和所述第二卡盘的形变。
9.根据权利要求1所述的晶圆键合方法,其特征在于,施加外力于所述第一晶圆,以键合所述第一晶圆和所述第二晶圆的具体步骤包括:
施加外力于所述第一晶圆;
实时获取所述第一晶圆与所述第二晶圆之间的实时形变差异;
根据所述实时形变差异调整吸附所述第二晶圆的吸附力,直至完成所述第一晶圆与所述第二晶圆的键合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造