[发明专利]谐振器、滤波器及制造方法

权利要求书

1.一种谐振器的制造方法，其特征在于，包括：

形成底电极；

在所述底电极上形成压电层；

在所述压电层上形成至少一个凹陷部，所述凹陷部的深度与待形成的质量负载层的厚度相同；

在所述压电层上形成上电极，所述上电极填充入所述凹陷部的部分形成所述质量负载层，并使所述上电极的上表面平坦化。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成底电极之前还包括：在基板表面形成至少一个开口；在所述开口内填充牺牲层；

在所述使所述上电极的上表面平坦化之后还包括：去除所述牺牲层，以使得所述底电极与所述基板之间形成空腔。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述谐振器为多个，

所述形成底电极包括：形成多个分离的底电极，每个所述底电极对应一个所述谐振器；或者

所述形成底电极包括：形成一体的底电极，多个所述谐振器共用所述一体的底电极；或者

所述在所述底电极上形成压电层包括：形成多个分离的压电层，每个所述压电层对应一个所述谐振器；或者

所述在所述底电极上形成压电层包括：形成一体的压电层，多个所述谐振器共用所述一体的压电层；或者

所述在所述压电层上形成上电极包括：形成多个分离的上电极，每个所述上电极对应一个所述谐振器；或者

所述在所述压电层上形成上电极包括：形成一体的上电极，多个所述谐振器共用所述一体的上电极。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述压电层上形成至少一个凹陷部包括：

在所述压电层上形成掩膜层；

去除需要形成所述质量负载层的所述谐振器对应的所述压电层上的部分所述掩膜层，以暴露待形成所述凹陷部的所述压电层的部分表面；

对所暴露的所述压电层的所述部分表面进行刻蚀以形成所述凹陷部。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述压电层上形成上电极，包括：

在所述压电层上沉积形成所述上电极，所沉积的所述上电极的厚度大于或等于待形成的上电极的厚度与各个所述谐振器的所述凹陷部中深度最深者的深度之和。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述使所述上电极的上表面平坦化包括：

使各个所述谐振器的所述上电极的上表面高度齐平。

7.一种谐振器的制造方法，其特征在于，包括：

在基板表面形成开口，并向所述开口内填充牺牲层；

在所述牺牲层上形成至少一个凹陷部，所述凹陷部的深度与待形成的质量负载层的厚度相同；

在所述基板和所述牺牲层上形成底电极，所述底电极填充入所述凹陷部的部分形成所述质量负载层；

使所述底电极的上表面平坦化；

在所述底电极上形成压电层；

在所述压电层上形成上电极。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述压电层上形成上电极之后还包括：

去除所述牺牲层，以使得所述底电极与所述基板之间形成空腔。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述谐振器为多个，

所述在所述基板和所述牺牲层上形成底电极包括：形成多个分离的底电极，每个所述底电极对应一个所述谐振器；或者

所述在所述基板和所述牺牲层上形成底电极包括：形成一体的底电极，多个所述谐振器共用所述一体的底电极；或者

所述在所述底电极上形成压电层包括：形成多个分离的压电层，每个所述压电层对应一个所述谐振器；或者

所述在所述底电极上形成压电层包括：形成一体的压电层，多个所述谐振器共用所述一体的压电层；或者

所述在所述压电层上形成上电极包括：形成多个分离的上电极，每个所述上电极对应一个所述谐振器；或者

所述在所述压电层上形成上电极包括：形成一体的上电极，多个所述谐振器共用所述一体的上电极。