[发明专利]一种吸收发射比可调的智能热控器件及其制备方法

权利要求书

1.一种吸收发射比可调的智能热控器件及其制备方法，其特征在于，所述智能热控器件包括电致变色层和低吸收低发射层，所述智能热控器件的制备方法包括：

S1、制备电致变色层；

S2、采用磁控溅射方法在步骤S1制备的电致变色层背面沉积低吸收低发射层；

S3、沉积的低吸收低发射层厚度达到预定厚度时，完成吸收发射比可调的智能热控器件的制备，低吸收低发射层的预定厚度根据电致变色层的红外光谱发射率、厚度以及所用低吸收低发射层材料的太阳光谱吸收率、红外光谱发射率确定。

2.根据权利要求1所述的一种吸收发射比可调的智能热控器件及其制备方法，其特征在于：所述电致变色层的太阳光谱透过率在5％～70％范围内可调，红外光谱发射率为0.80～0.90。

3.根据权利要求2所述的一种吸收发射比可调的智能热控器件及其制备方法，其特征在于：所述低吸收低发射层的太阳光谱吸收率为0.04～0.10，红外光谱发射率为0.02～0.08。

4.根据权利要求3所述的一种吸收发射比可调的智能热控器件及其制备方法，其特征在于：所述低吸收低发射层采用金属铝或银。

5.根据权利要求4所述的一种吸收发射比可调的智能热控器件及其制备方法，其特征在于：所述电致变色层的厚度为500～1500μm，所述低吸收低发射层的厚度为1～10μm。

6.一种吸收发射比可调的智能热控器件及其制备方法，其特征在于，所述智能热控器件包括电致变色层和低吸收高发射层，所述智能热控器件的制备方法包括：

S1、制备电致变色层；

S2、采用空气喷涂方法在步骤S1制备的电致变色层背面制备低吸收高发射层；

S3、沉积的低吸收高发射层厚度达到预定厚度时，完成吸收发射比可调的智能热控器件的制备，低吸收高发射层的预定厚度根据电致变色层的红外光谱发射率、厚度以及所用低吸收高发射层材料的太阳光谱吸收率、红外光谱发射率确定。

7.根据权利要求6所述的一种吸收发射比可调的智能热控器件及其制备方法，其特征在于：所述电致变色层的太阳光谱透过率在5％～70％范围内可调，红外光谱发射率为0.80～0.90。

8.根据权利要求7所述的一种吸收发射比可调的智能热控器件及其制备方法，其特征在于：所述低吸收高发射层的太阳光谱吸收率为0.08～0.15，红外光谱发射率为0.85～0.92。

9.根据权利要求8所述的一种吸收发射比可调的智能热控器件及其制备方法，其特征在于：所述低吸收高发射层采用白色无机陶瓷涂层。

10.根据权利要求9所述的一种吸收发射比可调的智能热控器件及其制备方法，其特征在于：所述电致变色层的厚度为500～1500μm，所述低吸收高发射层的厚度为50～200μm。