[发明专利]磁性体装置在调节高糖环境中细胞的氧化应激水平、活力及增殖、迁移和浸润能力中的应用

权利要求书

1.磁性体装置在调节高糖环境中细胞的氧化应激水平、活力及增殖、迁移和浸润能力中的应用，其特征在于：所述磁性体装置包括磁性体和细胞培养单元，所述细胞培养单元位于磁性体顶壁，所述细胞位于细胞培养单元内，所述磁性体的S极或N极向上，调节细胞受到的磁场强度为0.5T，所述细胞加磁处理时间为24小时。

2.根据权利要求1所述的磁性体装置在调节高糖环境中细胞的氧化应激水平、活力及增殖、迁移和浸润能力中的应用，其特征在于：所述细胞培养单元为细胞培养皿。

3.根据权利要求1所述的磁性体装置在调节高糖环境中细胞的氧化应激水平、活力及增殖、迁移和浸润能力中的应用，其特征在于：所述细胞为离体小鼠胚胎成纤维细胞。

4.根据权利要求3所述的磁性体装置在调节高糖环境中细胞的氧化应激水平、活力及增殖、迁移和浸润能力中的应用，其特征在于：所述高糖环境中的细胞为葡萄糖诱导的离体小鼠胚胎成纤维细胞，所述诱导包括以下步骤：将小鼠胚胎成纤维细胞接种于培养板中，加入浓度为25mmol/L的D-(+)-葡萄糖溶液，调整培养板的培养基中葡萄糖终浓度为50mmol/L。

5.根据权利要求3所述的磁性体装置在调节高糖环境中细胞的氧化应激水平、活力及增殖、迁移和浸润能力中的应用，其特征在于：所述应用包括以下步骤：将葡萄糖诱导的离体小鼠胚胎成纤维细胞接种到细胞培养单元中，然后置于磁性体顶壁，将磁性体装置置于细胞培养箱中培养24小时。

6.根据权利要求1所述的磁性体装置在调节高糖环境中细胞的氧化应激水平、活力及增殖、迁移和浸润能力中的应用，其特征在于：磁性体的S极向上。

7.根据权利要求1所述的磁性体装置在调节高糖环境中细胞的氧化应激水平、活力及增殖、迁移和浸润能力中的应用，其特征在于：所述磁性体装置位于培养箱中。

8.根据权利要求7所述的磁性体装置在调节高糖环境中细胞的氧化应激水平、活力及增殖、迁移和浸润能力中的应用，其特征在于：所述培养箱为二氧化碳培养箱。

9.根据权利要求7所述的磁性体装置在调节高糖环境中细胞的氧化应激水平、活力及增殖、迁移和浸润能力中的应用，其特征在于：所述培养箱的培养温度为37℃。